[发明专利]一种从堆叠式栅极闪存中去除介质残余的方法

权利要求书

1.一种从堆叠式栅极闪存中去除介质残余的方法，其特征在于包括：

第一步，提供一衬底，该衬底上有沟槽；

第二步，在衬底上依次形成穿隧氧化层，浮置栅极层，栅间介电层；

第三步，形成导体层，并对该导体层进行蚀刻，首先蚀刻形成闪存单元的 外围电路，而后进行单元栅极的蚀刻，具体为：

利用两个光罩分别对导体层进行蚀刻，第一个光罩的图案定义闪存单 元的外围电路，并使浮置栅极层的侧壁上不会有栅间介质层残余；

上述第一个光罩和第二个光罩的图案部分重叠。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于上述栅间介电层的材料为氧化 物-氮化物-氧化物。