[发明专利]双镶嵌应用中底部抗反射涂层的两步蚀刻

权利要求书

1.一种用于从特征中去除BARC层的方法，包括：

在蚀刻室中提供具有填充了BARC层的特征的衬底；

为了蚀刻填充在特征中的BARC层的第一部分，将包含NH₃气体的第一气体混合物充入到室中；

为了蚀刻布置在特征中的BARC层的残余部分，将包含O₂气体的第一气体混合物充入到蚀刻室中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，充入第一气体混合物的步骤还包括：

使具有在50sccm和1000sccm之间的流速的NH₃流入到蚀刻室中。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，充入第一气体混合物的步骤还包括：

将工艺压力保持在大约5mTorr到大约300mTorr之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，充入第一气体混合物的步骤还包括：

将衬底温度控制在大约-10摄氏度到大约55摄氏度之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，充入第一气体混合物的步骤还包括：

施加在大约150瓦到大约2000瓦之间的等离子体功率。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，充入第一气体混合物的步骤还包括：

在大约20秒和大约200秒之间的工艺时间蚀刻填充在特征中的BARC层的第一部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，充入第二气体混合物的步骤还包括：

使具有在50sccm和500sccm之间的流速的O₂气体流入到蚀刻室中。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，充入第二气体混合物的步骤还包括：

将工艺压力保持在大约5mTorr到大约50mTorr之间。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，充入第二气体混合物的步骤还包括：

将衬底温度控制在大约-10摄氏度到大约55摄氏度之间。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，充入第二气体混合物的步骤还包括：

施加在大约150瓦到大约2000瓦之间的等离子体功率。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，充入第二气体混合物的步骤还包括：

在大约10秒和大约60秒之间的工艺时间蚀刻填充在特征中的BARC层的残余部分。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一气体混合物充入和第二气体混合物充入之间的蚀刻时间比值在大约1∶1和大约4∶1之间。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，镶嵌结构包括具有小于3.5的介电常数的介电绝缘层。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，镶嵌结构包括含有碳掺杂氧化硅的介电绝缘层。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供步骤还包括：

提供具有布置在衬底上表面上的光刻胶层的衬底。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，充入到蚀刻室中的第一气体混合物和第二气体混合物在蚀刻BARC层的同时蚀刻光刻胶层。

17.一种用于从特征中去除BARC层的方法，包括：

在蚀刻室中提供具有在介电绝缘层中形成的且填充了BARC层的特征的衬底；

为了蚀刻填充在特征中的BARC层的一部分，将包含NH₃气体的第一气体混合物充入到室中；

为了蚀刻布置在特征中的BARC层的残余部分，将包含O₂气体的第一气体混合物充入到蚀刻室中。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，充入第一气体混合物的步骤还包括：

使具有在50sccm和1000sccm之间的流速的NH₃流入到蚀刻室中。