[发明专利]可除去的压敏粘合剂组合物和压敏粘合带或片

说明书

技术领域

本发明涉及压敏粘合剂组合物和使用其的压敏粘合带或片。更具体地，本发明涉及用于切割的压敏粘合带或片，在将半导体晶片等切削(切割)成器件芯片时，所述粘合带或片用于固定所要切割的材料如半导体晶片；还涉及拾取压敏粘合带或片，其用于各自分离(拾取)已被切割的所要切割的材料。

背景技术

传统上，由诸如硅、锗或镓-砷的材料制成的半导体晶片通常以大直径形式生产，之后对其进行背面研磨以得到给定的厚度，并且根据需要进一步对其进行背面加工(例如蚀刻加工或抛光加工)。然后，将用于切割的压敏粘合带或片(术语“带或片”在下文中有时简称为“带”或“片”)粘贴在半导体晶片的背面，并且在此之后，将晶片分别切削(切割)成器件芯片。接下来进行各种步骤，如清洗步骤、延展步骤、拾取步骤和贴装步骤。

为了将由诸如硅或镓-砷的材料制成的半导体晶片分离为晶片芯片，预先将半导体晶片粘贴并固定在压敏粘合片上，然后，进行切割、清洗、干燥、延展、拾取和贴装。但是，在这些步骤中，发生晶片芯片从压敏粘合片上的脱落和散开。另外，虽然可以很容易地提高粘合强度以防止晶片芯片的脱落和散开，但由于在拾取时难以从压敏粘合片上剥离晶片芯片，因此随着集成度提高使晶片芯片面积扩大，近年来拾取变得困难。为了解决这些问题，使用可紫外光固化的压敏粘合片用于固定半导体晶片，其通过将可用紫外光照射交联而固化的压敏粘合剂组合物涂覆在具有可透过紫外光的表面的基材上，由此形成具有降低粘合强度的性能的压敏粘合剂层而实现。根据该压敏粘合片，可以在切割、清洗和干燥步骤中保持高的粘合强度，然后可以通过如下方式来降低粘合强度：利用来自支撑侧的紫外光照射来交联，从而固化可紫外光固化的压敏粘合剂层，由此能够容易地进行晶片芯片的拾取。

作为这些可紫外光固化的压敏粘合片的基材，已使用聚氯乙烯膜及其共聚物膜，和聚烯烃膜如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯和乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜。尤其常用的是基于聚氯乙烯的膜。与基于聚烯烃的膜相比，基于聚氯乙烯的膜在拉伸压敏粘合片的延展步骤中在芯片单元之间提供足够的距离。

但是，在这种用于固定半导体晶片的可紫外光固化压敏粘合片中，在基材上形成的压敏粘合剂层具有通过紫外光照射交联固化而降低粘合强度的性能，其存在的问题是包含在压敏粘合剂层中的低分子量组分(光聚合引发剂)迁移至基材侧，由此降低可紫外光固化的化合物的反应性，这导致无法发生通过交联的平稳固化以达到压敏粘合片的粘合强度降低的结果。因此，在晶片芯片生产步骤中，特别是在切割和清洗步骤中，晶片芯片脱落和散开，这导致良品率下降。

为了解决此问题，已报道一种提供防迁移层的方法，其用于防止在聚氯乙烯或其共聚物和可紫外光固化压敏粘合剂层之间界面上的增塑剂的迁移。但是，这也难以完全阻止低分子量组分的迁移(参见JP-A-11-263946和JP-A-2000-281991)。

发明内容

因此，本发明的一个目的是提供一种可除去的压敏粘合剂组合物，其可通过防止作为低分子量组分的光聚合引发剂的迁移和通过在所形成的压敏粘合剂层内照射活化能量射线来降低粘合强度，从而表现出可易于从被粘物上除去的特性。

本发明的另一目的是提供一种可除去的压敏粘合剂组合物，其用于形成压敏粘合片的压敏粘合剂层。

本发明的又一个目的是提供一种用于切割的压敏粘合片。

为了解决上述问题，本发明人进行了深入的研究。结果发现，使用特定的可除去的压敏粘合剂组合物可以在所形成的压敏粘合剂层中防止作为低分子量组分的光聚合引发剂迁移并且可以通过活化能量射线的辐照来降低粘合强度，由此所述压敏粘合剂层可以表现出可易于从被粘物上除去的特性。从而完成本发明。

附图说明

图1是显示本发明的压敏粘合带或片的一个实施方案的剖面示意图。

图2是显示测量带或片的粘合强度的方法的剖面示意图。

附图标记说明

1：压敏粘合带或片

11：基材

12：可除去的压敏粘合剂层

13：隔离物

14：硅镜面晶片

θ：可除去的压敏粘合剂层12的表面和硅镜面晶片14的表面之间的Amble(剥离角)

a：剥离压敏粘合带或片1的方向(牵引方向)

具体实施方式

即，本发明提供一种可除去的压敏粘合剂组合物，其包含丙烯酸聚合物、光聚合引发剂和交联剂，其中丙烯酸聚合物和光聚合引发剂分别与交联剂化学键合。