[发明专利]表面金属化的电化学沉积方法无效
| 申请号: | 200710197179.4 | 申请日: | 2007-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN101457377A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
| 发明(设计)人: | 侯凯中 | 申请(专利权)人: | 光宝科技股份有限公司 |
| 主分类号: | C25D5/00 | 分类号: | C25D5/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面 金属化 电化学 沉积 方法 | ||
1.一种表面金属化的电化学沉积方法,其包含有:
将模具置入电解液槽以在该模具的表面上形成第一金属层;
将导电元件的第一表面接合于该第一金属层上;以及
将已接合该导电元件的模具置入电解液槽以在该导电元件的第二表面上形成第二金属层。
2.如权利要求1所述的电化学沉积方法,另包含导电化一非导电元件以产生该导电元件。
3.如权利要求1所述的电化学沉积方法,其中将该导电元件的该第一表面接合于该第一金属层上是以夹治具将该导电元件的该第一表面接合于该第一金属层上。
4.如权利要求1所述的电化学沉积方法,另包含于该导电元件上产生一穿孔。
5.如权利要求1所述的电化学沉积方法,另包含于该模具的该表面上进行表面效果处理。
6.一种表面金属化的电化学沉积方法,其包含有:
将模具的第一局部表面进行绝缘化处理;
将该模具置入电解液槽以在该模具的第二局部表面上形成第一金属层;
将导电元件的第一表面的第一局部区域进行绝缘化处理;
在该导电元件的该第一表面的该第一局部区域进行绝缘化处理后,将该导电元件的第二表面的第一局部区域接合于该模具的该第一局部表面,及将该导电元件的该第二表面的第二局部区域接合于该第一金属层上;以及
将已接合该导电元件的模具置入电解液槽以在该导电元件的该第一表面的第二局部区域上形成第二金属层。
7.如权利要求6所述的电化学沉积方法,另包含导电化一非导电元件以产生该导电元件。
8.如权利要求6所述的电化学沉积方法,其中将该导电元件的该第二表面的该第一局部区域接合于该模具的该第一局部表面,及将该导电元件的该第二表面的该第二局部区域接合于该第一金属层上为以夹治具将该导电元件的该第二表面的该第一局部区域接合于该模具的该第一局部表面,及将该导电元件的该第二表面的该第二局部区域接合于该第一金属层上。
9.如权利要求6所述的电化学沉积方法,另包含于该导电元件上产生一穿孔。
10.如权利要求6所述的电化学沉积方法,另包含于该模具的该第二局部表面上进行表面效果处理。
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