[发明专利]用于电子材料的清洗液和清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于电子材料特别是硅晶片的清洗液，以及使用所述清洗液的清洗方法。

背景技术

近来，在使用硅晶片制造半导体LSIs的技术中，需要使用具有较大直径的硅晶片，和进一步微细加工技术。另外，还需要解决一些问题例如伴随着工艺复杂性的产品质量的维持和改进、以及生产成本的降低。

特别地，在使用硅晶片制造半导体LSIs技术的许多领域中，所谓的湿处理步骤是关键步骤，其包括用多种溶液处理。所述湿处理步骤中的特别重要的步骤是清洗步骤。在常规的清洗步骤中，所做出的改进主要是在清洗液的组分组成、清洗液浓度、清洗温度、清洗时间等的选择上。(例如，“New Edition，Clean Technology of Silicon Wafer Surface”written and edited by Takeshi Hattori，Realize Co.Ltd.(2000))。但是，这些常规技术不足以满足近来由进一步微细加工技术、步骤的复杂性、高清洁度、以及成本降低所带来的要求。此外，近来，由于严格的环境保护措施和废液处理成本降低的要求，需要稀化学溶液清洗、无化学溶液清洗等。

作为解决这些问题的方法，由臭氧水或加氢水代表的所谓功能水的研发已经在积极开展，并且已经开发了其实际用途。所述臭氧水在除去金属杂质污染和有机物质污染的半导体清洗中的实际用途已经开发出来。所述加氢水还用于液晶显示器的玻璃基板清洗以除去颗粒(例如，“Functional WaterLeaning From the Elements”supervised by Masayuki Toda，edited by JapanIndustrial Conference on Cleaning，Kogyo Chosakai Publishing Co.Ltd.(2002))。

人们期望加氢水作为氨水+过氧化氢(下面称为“APM”)的替代物，所述APM在半导体清洗领域中广泛用作去除颗粒的清洗液。在化学溶液成本方面，加氢水与APM相比极其有利，但是，在颗粒去除能力方面是较差的。由于其清洗水平足够用于清洗液晶显示器的玻璃基板，加氢水已被投入实际应用；但是，由于其清洗能力不足，在半导体例如硅晶片的清洗领域中它还没有投入实际应用。

因此，必须提高加氢水的能力来发展在半导体清洗中低成本的APM替代技术。

发明内容

本发明提供一种完全新颖的方法可一般用于硅晶片的清洗处理。

解决问题的方法

本发明人对于一种能够满足近来对硅晶片清洗处理的强烈要求的新型清洗液和使用该清洗液的清洗处理方法已经进行了不断的研究开发，结果惊奇地发现，所述问题可以通过使用超纯水或加氢水作为原料水，并在氢微泡的存在下结合使用清洗液与超声辐射来解决，从而实现了本发明。

具体地，本发明用于电子材料的清洗液的特征在于含有由氢气产生的微泡，并且其为给予超声振动的含水液体。

本发明用于电子材料的清洗液的特征在于所述含水液体是超纯水或加氢水。

本发明的清洗方法的特征为使用所述清洗液，并且所述方法在有氢微泡存在的含水液体中和超声辐射下进行。

本发明的清洗方法的特征在于，所述含水液体是超纯水。

本发明的清洗方法的特征在于，所述含水液体是加氢水。

本发明的清洗方法的特征在于，还向所述含水液体中加入碱。

本发明的清洗方法的特征在于，向所述含水液体中加入碱和过氧化氢。

本发明的清洗方法的特征在于，向所述含水液体原料中加入表面活性剂。

本发明的清洗方法的特征在于，所加入的碱含有氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、氢氧化四甲铵(下面称为“TMAH”)和胆碱中的至少一种。另外，本发明的清洗方法的特征在于，所述电子材料是硅晶片。

发明效果

当使用本发明的清洗液进行清洗处理时，晶片表面上的颗粒组分等可以被有效地清洗和除去，并可以避免再污染。

具体实施方式

本发明用于电子材料的清洗液是含有由氢气产生的微泡的含水液体，并且是给予超声振动的含水液体。所述含水液体的特征在于其为超纯水或加氢水。另外，本发明用于电子材料的所述清洗液包括那些向其中加入各种添加剂以得到所需性能的清洗液。这里所述可以用本发明的清洗液清洗的电子材料特别包括硅晶片。