[发明专利]用于电子材料的清洗液和清洗方法无效
| 申请号： | 200710196601.4 | 申请日： | 2007-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101226874A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 榛原照男;森良弘;毛利敬史 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302;H01L21/306;B08B3/10;B08B3/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程大军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电子 材料 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于电子材料的清洗液，其特征在于，其为含有由氢气产生的微泡并给予超声振动的含水液体。
2.根据权利要求1的电子材料的清洗液，其中所述含水液体是超纯水。
3.根据权利要求1的电子材料的清洗液，其中所述含水液体是加氢水。
4.一种电子材料的清洗方法，其特征在于，其在存在有氢微泡的含水液体中和在超声辐射下进行。
5.根据权利要求4的电子材料的清洗方法，其中所述含水液体是超纯水。
6.根据权利要求4的电子材料的清洗方法，其中所述含水液体是加氢水。
7.权利要求4-6任一项中所述的电子材料的清洗方法，其中还向所述含水液体中加入碱。
8.权利要求4-6任一项中所述的电子材料的清洗方法，其中还向所述含水液体中加入碱和过氧化氢。
9.权利要求4-8任一项中所述的电子材料的清洗方法，其中向所述含水液体中加入表面活性剂。
10.根据权利要求7或8的电子材料的清洗方法，其中所述加入的碱含有氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、氢氧化四甲铵(TMAH)和胆碱中的至少一种。
11.根据权利要求4-10任一项的电子材料的清洗方法，其中所述电子材料是硅晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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