[发明专利]保护膜的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种保护膜的形成方法，尤其是涉及在被保护体的表面形成薄膜保护膜的方法。

背景技术

近年来，为了实现小型化及大容量化，磁盘装置的高记录密度化正在急速发展。因此，需要缩短磁头滑块(head slider)与磁盘之间的距离，即需要进一步缩小磁头滑块相对于磁盘的飞行高度。

另一方面，如果缩小磁头滑块相对于磁盘的飞行高度，磁头滑块与高速旋转的磁盘表面相接触或者碰撞的几率也会增加。因此在磁头滑块的飞行面上形成保护膜是十分必要的。由于该保护膜能够接触到磁盘表面，因而必须具备高滑动性(低摩擦性)以及耐磨损性。而且为了达到高记录密度化，应缩短磁头元件部与磁盘之间的距离，并且必须要形成膜厚非常薄的保护膜。还有，磁头元件部具备磁性写入元件和作为读取元件的磁阻效应元件，而这些元件都是由易腐蚀的磁性材料所制成，因此所述保护膜必须还要具备防止磁性材料腐蚀的性能。

参照图12，说明现有技术中的磁头滑块保护膜的形成方法。如该图所示，磁头滑块的保护膜是对多个磁头滑块相连接状态的条块(bar-block)进行以下工序而形成，即：清洗(cleaning)被保护体(磁头滑块)的表面(步骤S101)、沉积主要成分为硅(silicon)的底膜(步骤S102)、在底膜上沉积类金刚石碳膜(Diamond like carbon：DLC)(步骤S103)。这样被形成的磁头滑块保护膜具有由硅膜和氧化硅膜构成的底膜以及形成在其上的DLC膜所组成的两层膜结构。

为了保证品质，对按照上述工序制造的磁头滑块要求必须通过各种腐蚀试验。这里所说的腐蚀试验其代表性的有在专利文献1中所揭示的酸浸渍试验、或在专利文献2中所揭示的高温高湿试验。

然而，对经过上述工序沉积形成的保护膜，即由两层膜构成的保护膜进行薄膜化试验的结果，当膜厚度不足2nm时就不能通过所述腐蚀试验。因此，根据上述方法形成的保护膜由于存在耐腐蚀性问题而不能进行薄膜化，从而不能实现高记录密度化。反之，若要实现薄膜化，则就会降低耐腐蚀性，从而降低磁头滑块的品质。

而且，如图13所示，在专利文献2中所揭示的保护膜经过以下工序而形成，即：清洗被保护体(磁头滑块)的表面(步骤S201)、沉积主要成分为硅的底膜(步骤S202)、在底膜上沉积类金刚石碳膜(Diamond like carbon：DLC)(步骤S203)、以及，通过蚀刻(etching)类金刚石碳膜使膜厚变薄(步骤S204)。据此，揭示了保护膜的厚度不足2nm，并通过所述高温高湿试验的技术内容。但是，由于该专利文献2公开的保护膜同样也具有所述两层膜的结构，因而很难通过条件更加严格的酸浸渍试验，所以仍然不能达到提高耐腐蚀性的目的。

有鉴于此，本发明提供一种耐腐蚀性良好的薄膜保护膜的形成方法，进而提供高品质的被保护体，以此能改善上述现有技术中的缺点。

专利文献1：日本专利申请特开2006-107673号公报

专利文献2：日本专利申请特开2007-26506号公报

专利文献3：日本专利申请特开2006-343227号公报

发明内容

本发明的一个实施例提供一种在被保护体的至少一部分表面形成保护膜的保护膜形成方法，其包括：在被保护体的表面形成底膜的底膜形成工序；以及在该底膜上形成类金刚石碳膜的DLC膜形成工序，其中，进行所述底膜形成工序时，反复进行在沉积规定膜厚的底膜之后再沿着膜厚度方向部分除去该底膜的操作环节，从而在被保护体的表面多次形成底膜。

这种保护膜的形成方法还包括绝缘层形成工序，从而在进行所述DLC膜形成工序之前，在所述形成类金刚石碳膜的底膜表面上形成绝缘层。

而且，所述底膜形成工序进一步包括：在所述被保护体的表面上沉积规定膜厚的底膜之后沿着膜厚度方向部分除去该底膜，从而形成第一底膜的第一底膜形成环节；以及，在第一底膜上再次沉积底膜后再部分除去该底膜，从而形成第二底膜的第二底膜形成环节。

具体地说，在所述第一底膜形成工序中，形成膜厚为1nm以上的底膜之后再除去该底膜，使得其膜厚度达到不足1nm。在所述第二底膜形成工序中，形成膜厚为1nm以上的底膜之后再除去该底膜，使得其膜厚度达到不足1nm。