[发明专利]保护膜的形成方法

权利要求书

1.一种保护膜的形成方法，将保护膜形成在被保护体的至少一部分表面上，其特征在于：该方法包括

在所述被保护体的表面形成底膜的底膜形成工序；以及

在所述底膜上形成类金刚石碳膜的DLC膜形成工序，

其中，在所述底膜形成工序中，反复进行在沉积规定膜厚的底膜之后再沿着膜厚度方向部分除去该底膜的环节，从而在被保护体的表面多次形成底膜。

2.如权利要求1所述的保护膜形成方法，其特征在于：该方法还包括绝缘层形成工序，从而在进行所述DLC膜形成工序之前，在所述形成类金刚石碳膜的底膜表面上形成绝缘层。

3.如权利要求1或2所述的保护膜形成方法，其特征在于：所述底膜形成工序进一步包括在所述被保护体的表面上沉积规定膜厚的底膜之后再部分除去该底膜，从而形成第一底膜的第一底膜形成环节；以及，在第一底膜上再次沉积底膜后再部分除去该底膜，从而形成第二底膜的第二底膜形成环节。

4.如权利要求3所述的保护膜形成方法，其特征在于：在所述第一底膜形成工序中，沉积膜厚为1nm以上的底膜之后再除去该底膜，使得其膜的厚度小于1nm。

5.如权利要求4所述的保护膜形成方法，其特征在于：所述第二底膜形成工序中，沉积膜厚为1nm以上的底膜之后再除去该底膜，使得其膜厚度小于1nm。

6.如权利要求1，2，4或5中任一项所述的保护膜形成方法，其特征在于：在所述底膜形成工序中，使用硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅中的任意一种材料来沉积底膜。

7.如权利要求1，2，4或5中任一项所述的保护膜形成方法，其特征在于：在所述底膜形成工序中，采用相对底膜的膜厚方向倾斜照射离子束的斜入射离子束蚀刻法来除去底膜。

8.如权利要求1，2，4或5中任一项所述的保护膜形成方法，其特征在于：该方法还包括表面清洗工序，从而在进行所述底膜形成工序之前清洗被保护体的表面，并且，采用相对于与被保护体的表面垂直的方向倾斜照射离子束的斜入射离子束蚀刻法进行该表面清洗工序。

9.如权利要求8所述的保护膜形成方法，其特征在于：所述表面清洗工序是，通过使用含氩气的气体的斜入射离子束蚀刻法来进行的。

10.如权利要求2所述的保护膜形成方法，其特征在于：在所述绝缘层形成工序中，通过对形成类金刚石碳膜的底膜表面进行等离子处理使其实现绝缘化，从而形成所述绝缘层。

11.如权利要求10所述的保护膜形成方法，其特征在于：在所述绝缘层形成工序中，使用氩气与氮气的混合气体进行等离子处理。

12.如权利要求11所述的保护膜形成方法，其特征在于：在所述绝缘层形成工序中，采用电子回旋加速共振等离子法或者斜入射离子束蚀刻法进行所述等离子处理。

13.如权利要求1，2，4或5中任一项所述的保护膜形成方法，其特征在于：在所述DLC膜形成工序中，采用磁过滤阴极真空弧法来形成所述类金刚石碳膜。

14.一种被保护体的制造方法，其特征在于，该制造方法采用权利要求1至13所述的保护膜形成方法在被保护体的至少一部分表面上形成保护膜。

15.一种被保护体，其特征在于：该被保护体具有通过权利要求1至13所述的保护膜形成方法而形成的保护膜。

16.一种磁头滑块的制造方法，其特征在于：该制造方法采用权利要求1至13所述的保护膜形成方法在作为被保护体的磁头滑块的飞行面上形成保护膜。

17.一种磁头滑块，其特征在于：该磁头滑块具有通过权利要求1至13所述的保护膜形成方法而形成的保护膜。

18.一种被保护体，在其至少一部分表面上形成有保护膜，其特征在于：所述保护膜包括反复进行在所述被保护体的表面上沉积规定膜厚的底膜之后再沿着膜厚度方向部分除去该底膜的环节而被形成的底膜，同时该底膜上具有类金刚石碳膜。

19.如权利要求18所述的被保护体，其特征在于：所述保护膜包括可形成所述类金刚石碳膜的底膜的、表面被绝缘化的绝缘层。