[发明专利]铜基SiCp稀土金属陶瓷复合电触头材料无效

专利信息
申请号: 200710195888.9 申请日: 2007-12-04
公开(公告)号: CN101452773A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: 请求不公开姓名 申请(专利权)人: 美红
主分类号: H01H1/025 分类号: H01H1/025;H01H11/04;C22C9/00;C22C1/04;C22C1/05
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 铜基 sic sub 稀土 金属陶瓷 复合 电触头 材料
【说明书】:

一、所属技术领域

本发明属于金属复合材料领域,提出了一种用于中低负载领域的铜基碳化硅稀土电触头复合材料。该材料是一种广泛的应用于中、低压电器行业和家用电器行业的电工触头材料,是一种无银无镉污染的新型电工触头材料,该材料还广泛的应用于弱电触头领域。

二、背景技术

在现有技术条件下,电接触元件制造材料以银基电接触材料为主,铜基电接触材料作为补充。

1.银基电接触材料

主要银基电接触材料包括:银—氧化物、银基假合金、银基合金三大类。银基材料具有高导电性、高导热性和良好的机械加工性,在大气条件下不氧化,能保持低而稳定的接触电阻等性质。通过熔炼粉末冶金和复合技术等不同工艺制成的银合金材料或复合材料,既保持了银材料原先的良好性能,又具有耐磨性,抗电弧熔焊的性能,因此广泛的应用在电器行业做为电工触头材料。但银是一种昂贵的稀有金属,资源紧缺,严重制约了银基电工触头材料的发展。

2.铜基电接触材料

现阶段国内外研究机构都把铜基电接触材料作为银基电接触材料的主要替代品进行研究,原因是铜具有和银差不多的导电能力,其熔点、热容量和机械性能要高于银,因而适合用于电接触材料。但是铜基材料表面在电流、大气环境条件下容易氧化,且其氧化物(CuO和Cu2O)具有很低的电导率,急剧增大了元件的接触电阻,使材料在使用中容易发热,直接影响电开关的工作可靠性和寿命,使铜及一般的铜合金难于作为触头材料应用。此外金属铜的抗电烧蚀和抗熔焊能力也比较低。因此需要在铜中添加其它元素和化合物形成合金或者复合材料以改善其物化性能,使其满足中低压电器产品的要求。目前已经有多项关于铜基电接触材料的专利,如在铜中添加碳纤维、石墨、金刚石、碳化硼、镉、稀土金属、单一的氧化物和卤化物等。虽然这些方案有效的改善了铜基材料的电性能和机械性能,但是仍然没有做到触头材料抗氧化性、抗熔焊性、抗电烧蚀以及机械性能的优化组合,性能和银基材料相比还有不小差距。因此限制了铜基材料的应用范围,影响了其推广应用。

本发明目的是提出一种新型的铜基碳化硅、稀土金属复合接触材料,其导电导热性、灭弧性、抗熔焊性、抗电流腐蚀、抗粘结性及摩擦特性均可与银基触头相媲美,可替代原有的银基电工触头材料和传统的铜基电触头材料。

三、发明内容

本发明针对现有技术存在的不足,提供一种低电阻率且接触电阻稳定、导热导电性好、抗电烧蚀和抗熔焊能力强、机械加工性好的新型铜基复合电接触材料。该材料采用SiCp和混合稀土作为主要添加物,其他元素作为改性添加剂。

本发明的另一目的在于提供上述材料的制备方法。

本发明的铜基复合电接触材料组分如下,均为重量百分比:

SiCp           1-15%

稀土           0.05-2%稀土为富含镧或铈的混合稀土

Mo、W之一或组合 1-10%

Ni             0.2-4%

碲             0.5-1%

余量为Cu

所用原料尽量纯度高,尤其是SiCp粉体、铜粉、Mo粉中的杂质。

本发明的铜基金属陶瓷复合电接触材料最佳配比(重量比)为:SiCp 7.5%,稀土1%,Mo 2%,W 1%,Ni 2%,碲0.5%,铜86%,其中稀土为富含镧或铈的混合稀土。

碳化硅是一种半导体材料,具有较大热导率、高临界击穿电场、高禁带、高载流子迁移率等特点,是增强铜基体的最佳选择。碳化硅陶瓷材料具有弹性模量高、抗氧化性能好以及高温强度大等优越性能,是用于强化电接触基体材料最理想的原料之一。此外由于碳化硅本身是半导体,其电导率随着温度的增加而不断增大,因此可以保证复合材料高温下的电导率。根据固相材料的电导理论,在低温状态下,由于铜具有很高的导电导热性能,碳化硅的加入不会显著降低增强的复合电接触材料的导电导热性能,而强度得以显著提高。在较高温度下,由于铜的电导率随着温度的升高而直线降低,而碳化硅的电导率随着温度的升高而增大,可以保证高温下的电导率,使复合电接触材料的电导率仍保持在相对较高的水平。选用半导化的碳化硅颗粒对Cu进行增强,可以有效的改善Cu的机械强度尤其是高温强度,提高材料抗电弧烧蚀和抗熔焊的能力,提高复合电接触材料的使用温度,同时又不至于显著降低其导热和导电性能。

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