[发明专利]用于多层抗蚀剂等离子体蚀刻的方法

权利要求书

1.一种用于在等离子体蚀刻室中蚀刻限定在基片上的多层抗蚀剂的方法，包括以下方法操作：

将所述基片引入到所述蚀刻室中，所述基片具有限定在所述多层抗蚀剂的第一层上的图案；

使SO₂气体流入所述蚀刻室中；

在流入所述SO₂气体的同时，在所述蚀刻室中激发等离子体；以及

蚀刻所述多层抗蚀剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述使SO₂气体流入所述蚀刻室中的方法操作包括：

以大约0.1标准立方厘米每分钟(sccm)和200sccm之间的流速流入所述SO₂气体。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

使氯气流入所述蚀刻室中；

使溴化氢气体流入所述室中；以及

使惰性气体流入所述室中。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述惰性气体为氮，并且所述多层抗蚀剂包括至少三个抗蚀剂层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在流入所述SO₂气体的同时在所述蚀刻室中激发等离子体的方法操作包括：

生成氧基等离子体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在流入所述SO₂气体的同时在所述蚀刻室中激发等离子体的方法操作包括：将等离子体密度保持在大约1×10⁹/cm³和大约1×10¹²/cm³之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在流入所述SO₂气体的同时在所述蚀刻室中激发等离子体的方法操作包括：将离子能量保持在大约150伏特和大约400伏特之间。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述将等离子体密度保持在大约1×10⁹/cm³和大约1×10¹²/cm³之间的方法操作包括：

建立在大约2毫托和大约20毫托之间的室压；以及

将所述蚀刻室的顶部电极的功率级设置在大约200瓦特和大约1000瓦特之间。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述将离子能量保持在大约150伏特和大约400伏特之间的方法操作包括：

将底部电极的射频(RF)峰值电压建立在大约200伏特和300伏特之间。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在流入所述SO₂气体的同时在所述蚀刻室中激发等离子体的方法操作包括：

将室温度保持在大约20摄氏度和大约70摄氏度之间。

11.一种用于在蚀刻室中在多层抗蚀剂蚀刻期间控制临界尺寸偏差的方法，包括如下方法操作：

在使SO₂气体流入所述室中的同时，在所述室中激发氧基等离子体；

将等离子体密度保持在大约1×10⁹/cm³和大约1×10¹²/cm³之间；以及

蚀刻所述多层抗蚀剂的每一层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述在使SO₂气体流入所述室中的同时在所述室中激发氧基等离子体的方法操作包括：

使氯气流入所述蚀刻室中；

使溴化氢(HBr)气体流入所述室中；以及

使惰性气体流入所述室中。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述在使SO₂气体流入所述室中的同时在所述室中激发氧基等离子体的方法操作包括：

以大约0.1标准立方厘米每分钟(sccm)和200sccm之间的流速使所述SO₂气体流入所述室中。

14.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

将离子能量保持在大约150伏特和大约400伏特之间。