[发明专利]多芯片堆叠结构及其制法

权利要求书

1.一种多芯片堆叠结构的制法，包括：

提供一具相对第一及第二表面的芯片承载件，以将一第一芯片及 第二芯片接置于该芯片承载件第一表面，并通过焊线电性连接至该芯 片承载件，该第一芯片为内存芯片，该第二芯片为控制芯片，该第一 芯片与第二芯片彼此未接触而具有间隙；

将一第三芯片间隔一黏着层而同时堆叠于该第一及第二芯片上， 该间隙中未填有该黏着层，其中该第三芯片是呈阶状方式接置于该第 一芯片上，且避免接触至该第一及第二芯片的焊线，该第三芯片为内 存芯片，该第二芯片平面尺寸小于第一芯片及第三芯片平面尺寸；以 及

利用焊线电性连接该第三芯片及芯片承载件。

2.根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法，其中，该第一、 第二及第三芯片单边表面边缘设有多个焊垫。

3.根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法，其中，该芯片 承载件为球栅阵列式基板、平面栅阵列式基板及导线架的其中一者。

4.根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法，复包括于第三 芯片上以阶状方式堆叠第四芯片。

5.根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法，其中，该第一、 第二及第三芯片选择利用一般打线方式及反向焊接方式的其中一者， 而电性连接至该芯片承载件。

6.根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法，其中，该黏着 层为绝缘胶带。

7.一种多芯片堆叠结构的制法，包括：

提供一具相对第一及第二表面的芯片承载件，以将一第一芯片及 第二芯片接置于该芯片承载件第一表面，该第一芯片为内存芯片，该 第二芯片为控制芯片，该第一芯片与第二芯片彼此未接触而具有间隙；

将一第三芯片间隔一黏着层而同时堆叠于该第一及第二芯片上， 该间隙中未填有该黏着层，其中该第三芯片是呈阶状方式接置于该第 一芯片上，该第三芯片为内存芯片，该第二芯片平面尺寸小于第一芯 片及第三芯片平面尺寸；以及

利用焊线电性连接该第一、第二及第三芯片与芯片承载件。

8.根据权利要求7所述的多芯片堆叠结构的制法，其中，该第一、 第二及第三芯片单边表面边缘设有多个焊垫。

9.根据权利要求7所述的多芯片堆叠结构的制法，其中，该芯片 承载件为球栅阵列式基板、平面栅阵列式基板及导线架的其中一者。

10.根据权利要求7所述的多芯片堆叠结构的制法，复包括于第 三芯片上以阶状方式堆叠第四芯片。

11.根据权利要求7所述的多芯片堆叠结构的制法，其中，该第 一、第二及第三芯片选择利用一般打线方式及反向焊接方式的其中一 者，而电性连接至该芯片承载件。

12.根据权利要求7所述的多芯片堆叠结构的制法，其中，该黏 着层为绝缘胶带。

13.一种多芯片堆叠结构，包括：

具相对第一及第二表面的芯片承载件；

第一芯片，接置于该芯片承载件第一表面，且通过焊线电性连接 至该芯片承载件，该第一芯片为内存芯片；

第二芯片，接置于该芯片承载件第一表面，且通过焊线电性连接 至该芯片承载件，该第二芯片为控制芯片，该第一芯片与第二芯片彼 此未接触而具有间隙；以及

第三芯片，间隔一黏着层而同时堆叠于该第一及第二芯片上，该 间隙中未填有该黏着层，其中该第三芯片是呈阶状方式接置于该第一 芯片上，且避免接触至该第一及第二芯片的焊线，该第三芯片为内存 芯片，该第二芯片平面尺寸小于第一芯片及第三芯片平面尺寸。

14.根据权利要求13所述的多芯片堆叠结构，其中，该第一、第 二及第三芯片单边表面边缘设有多个焊垫。

15.根据权利要求13所述的多芯片堆叠结构，其中，该芯片承载 件为球栅阵列式基板、平面栅阵列式基板及导线架的其中一者。