[发明专利]非易失性存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

至少一个第一控制栅极，布置在半导体基底上；

栅极绝缘层，置于半导体基底和至少一个第一控制栅极之间；

存储节点层，置于栅极绝缘层和至少一个第一控制栅极之间；

阻挡绝缘层，置于存储节点层和至少一个第一控制栅极之间；

多个第一掺杂剂掺杂区，沿着至少一个第一控制栅极的第一边设置；

多个第二掺杂剂掺杂区，沿着至少一个第一控制栅极的第二边设置，其中，所述第二边与所述第一边相对。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，至少一个第一控制栅极凹入到半导体基底中。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，多个第二掺杂剂掺杂区中的每个布置在第二边上的与多个第一掺杂剂掺杂区中的至少一个相邻的区域中。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，多个第一掺杂剂掺杂区和多个第二掺杂剂掺杂区被限定在半导体基底中。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：

多个第一位线电极，多个第一位线电极中的每个包括至少一个凹入到第一掺杂剂掺杂区的一个中的第一插塞部分；

多个第二位线电极，多个第二位线电极中的每个包括至少一个凹入到第二掺杂剂掺杂区的一个中的第二插塞部分。

6.如权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中，第一插塞部分和第二插塞部分包含多晶硅、金属和金属硅化物中的至少一种。

7.如权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中，多个第一位线电极中的每个还包括至少一个第一线部分，至少一个第一线部分连接到至少一个第一插塞部分并与至少一个第一控制栅极交叉地延伸。

8.如权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中，多个第二位线电极中的每个还包括至少一个第二线部分，至少一个第二线部分连接到至少一个第二插塞部分并与至少一个第一控制栅极交叉地延伸。

9.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：

多个第一沟道区，与至少一个第一控制栅极的第一边相邻，并被限定在半导体基底的在每两个相邻的第一掺杂剂掺杂区之间的部分中；

多个第二沟道区，与至少一个第一控制栅极的第二边相邻，并被限定在半导体基底的在每两个相邻的第二掺杂剂掺杂区之间的部分中。

10.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括埋入式绝缘层，其中，埋入式绝缘层置于至少一个第一控制栅极的底部和半导体基底之间，其中，埋入式绝缘层的厚度大于栅极绝缘层的厚度。

11.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括形成在至少一个第一控制栅极上的至少一个第二控制栅极，其中，至少一个第二控制栅极与至少一个第一控制栅极绝缘。

12.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，存储节点层包括氮化硅层、金属点或硅点以及金属纳米晶或硅纳米晶中的至少一种。

13.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，阻挡绝缘层包括氧化物层、氮化物层和高介电常数层中的至少一种。

14.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，至少一个第一控制栅极是多个第一控制栅极。

15.一种制造非易失性存储器装置的方法，包括：

在半导体基底中形成第一沟槽；

在第一沟槽中形成栅极绝缘层；

形成覆盖栅极绝缘层的存储节点层；

形成覆盖存储节点层的阻挡绝缘层；

形成控制栅极来填充第一沟槽的至少一部分；

沿着控制栅极的第一边在半导体基底中形成多个第一掺杂剂掺杂区；

沿着控制栅极的第二边在半导体基底中形成多个第二掺杂剂掺杂区，其中，所述第二边与所述第一边相对，多个第二掺杂剂掺杂区中的每个形成在第二边上的与沿着第一边的多个第一掺杂剂掺杂区的至少一个相邻的区域中。