[发明专利]相变化存储器阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种相变化存储器阵列，包括：

第一单元，包括一图形化相变化层；

第二单元，包括一图形化相变化层；

多个开关元件，分别电性连接该第一单元或该第二单元，

其中该第一单元的图形化相变化层和该第二单元的图形化相变化层位于不同层。

2.如权利要求1所述的相变化存储器阵列，其中该第一单元和该第二单元相邻。

3.如权利要求2所述的相变化存储器阵列，还包括第三单元，包括一图形化相变化层，其中该第三单元的图形化相变化层与该第一和第二单元的图形化相变化层位于不同层。

4.如权利要求3所述的相变化存储器阵列，其中该第三单元和该第一单元间的水平距离，较该第二单元和该第一单元间的水平距离远，且该第一单元的图形化相变化层与该第二单元的图形化相变化层相差的层数，较该第一单元的图形化相变化层与该第三单元的图形化相变化层相差的层数多。

5.如权利要求4所述的相变化存储器阵列，其中该第一单元的图形化相变化层位于第一层，位于该第一单元两侧的第二单元的图形化相变化层位于第三层，位于该第一单元斜角的第三单元的图形化相变化层位于第二层。

6.如权利要求3所述的相变化存储器阵列，还包括第四单元，包括一图形化相变化层，其中该第四单元的图形化相变化层与该第一、第二和第三单元的图形化相变化层位于不同层。

7.如权利要求6所述的相变化存储器阵列，其中该第四单元与该第一单元间的水平距离，较该第二和第三单元与该第一单元间的水平距离远，且该第一单元的图形化相变化层与该第四单元的图形化相变化层相差的层数，较该第一单元的图形化相变化层与该第二和第三单元的图形化相变化层相差的层数少。

8.如权利要求7所述的相变化存储器阵列，其中该第一单元的图形化相变化层位于第一层，位于该第一单元两侧的第二单元和第三单元的图形化相变化层分别位于第三层和第四层，位于该第一单元斜角的第四单元的图形化相变化层位于第二层。

9.如权利要求1所述的相变化存储器阵列，其中该第一单元的图形化相变化层和该第二单元的图形化相变化层相差至少一层。

10.如权利要求9所述的相变化存储器阵列，其中该第一单元的图形化相变化层和该第二单元的图形化相变化层相差至少两层。

11.如权利要求1所述的相变化存储器阵列，其中该开关元件为垂直二极管、双极结晶体管或金属氧化物半导体场效晶体管。

12.如权利要求1所述的相变化存储器阵列，其中该第一单元和该第二单元的水平距离小于250nm。

13.如权利要求1所述的相变化存储器阵列，其中该第一单元的上电极上的内连接，较第二单元的上电极上的内连接长。

14.如权利要求1所述的相变化存储器阵列，其中该图形化相变化层包括硫族化合物所形成的相变化材料。

15.一种相变化存储器阵列的制造方法，包括：

提供基底；

形成第一单元的下电极，图形化相变化层和上电极于该基底上；及

在形成该第一单元的上电极后，形成第二单元的下电极，图形化相变化层和上电极，

该第一单元的图形化相变化层和该第二单元的图形化相变化层位于不同层。

16.如权利要求15所述的相变化存储器阵列的制造方法，其中在形成该第二单元的下电极前，形成该第二单元的部分内连接，且该第二单元的部分内连接和该第一单元的下电极是同时制作。

17.如权利要求16所述的相变化存储器阵列的制造方法，其中该第二单元的部分内连接和该第一单元的下电极包括Ti、W、Ta、TiN、TiW、TaN、TaW、TiAl、TiWN、TiAlN或多晶硅。

18.如权利要求15所述的相变化存储器阵列的制造方法，其中形成该第一单元的上电极后，还包括在该第一单元的上电极上形成该第一单元的部分内连接，且同时形成该第二单元的位于该第二单元的下电极下的部分内连接。

19.如权利要求15所述的相变化存储器阵列的制造方法，还包括同时形成该第一单元位于该上电极上的部分内连接，和该第二单元位于下电极下的全部内连接。