[发明专利]SOI衬底CMOS工艺电光调制器无效
| 申请号： | 200710179413.0 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101458402A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 陈弘达;黄北举;董赞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 衬底 cmos 工艺 电光 调制器 | ||
1.一种SOI衬底CMOS工艺电光调制器，其特征在于，其中包括：
一个SOI衬底(11)；
一个n阱(18)位于SOI衬底(11)中央；
两个n+注入区(17)位于n阱(18)顶部的两侧；
两个p阱(19)位于SOI衬底(11)的两侧；
两个p+注入区(13)位于p阱(19)的顶部；
两个浅沟隔离层(12)夹在n阱(18)和p阱(19)之间；
二氧化硅层(14)覆盖在器件顶部；
金属层(15)淀积在二氧化硅层(14)上形成金属电极；
接触孔(16)将n+注入区(17)及p+注入区(13)连接到金属电极上；
一个光学干涉仪(21)；
当在外电极加反向偏压时，n阱和衬底形成的pn结将出现耗尽区，改变了脊形波导的载流子分布，由等离子色散效应，脊形波导的折射率随之改变，从而完成对入射光相位的调制；最后通过光学干涉仪完成入射光强度的调制。
2.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述浅沟隔离层形成脊形波导的包层。
3.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述调制器的金属电极分别制作在脊形波导的外脊和内脊上，利用标准CMOS工艺中的接触孔将金属电极和n+注入区及p+注入区相连形成欧姆接触；为了减少重掺杂欧姆接触对光场的吸收以减小损耗，两个n+注入区被制作在n阱顶层的两侧。
4.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述调制器的光学干涉仪不采用常用的Y分支马赫曾德干涉仪，而采用多模耦合干涉仪。
5.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述调制器中的所有层均采用标准CMOS工艺制作。
6.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述调制器能够在SOI衬底标准CMOS工艺线上制作。
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