[发明专利]一种实现多阶存储的方法、光记录介质及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及数字存储技术，更具体而言，涉及采用光记录介质的数字存储技术。 

背景技术

现有的数字光盘产品都是将信息转换成二进制数据，并将二进制数据以某种调制方式与存储介质记录符的两种不同物理状态相对应，实现数据存储，这类存储方式称为二值存储。目前的只读光盘存储技术所采用的都是二值存储方式，根据反射光光强的高低来判断当前所对应的位置是“坑”(Pit)或者“岸”(Land)，每个记录单元上可以记录两个状态数，也就是正好对应1位(bit)的信息。 

常规的二值存储光盘都采用游程长度受限的编码方案，即RLL(RunLength Limited，游程长度受限)编码。RLL是指光盘所存储的通道序列满足以下条件：在该序列的两个‘1’之间最少有d个‘0’，最多有k个‘0’。d和k这两个参数分别规定了可能出现在序列中的最小和最大的游程。参数d控制着最高传输频率，因此可能影响序列通过带限信道传输时的码间串扰。在二进制数据传输中，通常希望接收到的信号是能够自同步的。同步通常利用一个锁相环来再现。锁相环依照接收到的波形的跳变来调整检测时刻的相位。最大游程参数k确保适当的跳变频率以满足读取时钟同步的需要。 

多阶存储技术是相对二值存储提出的。如果将数据流调制成M进制数据(M＞2)，并将调制后的M进制数据与记录介质的M种不同物理状态以及读出信号相对应，即可实现M阶存储。M阶存储在一个信息记录斑的位置上可以存储log2(M)比特数据，因此当M大于2时，每个记录单元上可以记录超过1比特的信息，并且数据传输率同时得到了提高。多阶存储是在不改变激光波长和光学数值孔径的情况下，能显著提高存储 容量和数据传输率的一种新型技术。因此多阶存储系统与目前的光存储系统具有很好的兼容性。 

而目前的多阶存储又可以分为定长度多阶存储和游程长度受限多阶存储。定长多阶存储的信息符长度恒定，靠读出信号的幅值来存储信息。游程长度受限多阶存储信息符长度和读出信号幅值都发生改变，信息符的长度和幅值都能存储信息。相比定长度多阶存储，游程长度受限多阶存储能够实现更大的存储容量。现有公开的多阶游程长度受限存储是通过改变整个坑点的深度和(或)宽度来实现的。 

上述多阶游程受限存储方法，只利用了坑的变化来实现多阶，没有充分利用岸的变化；它的读出信号是不对称和非去直流的，这给后面的信号处理带来很大的困难。本发明提出的多阶游程受限存储方法可以克服上述缺点。 

发明内容

本发明的目的是提出一种实现多阶存储的方法、光记录介质及其制作方法。 

一种在光记录介质上实现多阶游程长度受限存储的方法，包括步骤： 

在用于存储信息的坑的游程长度方向上形成奇数段个相接的子坑和子岸，并且使所述坑的游程长度上的第一段和最后一段形成为子坑； 

在用于存储信息的岸的游程长度方向上形成奇数段个相接的子坑和子岸，并且使所述岸的游程长度上的第一段和最后一段形成为子岸。 

进一步，控制所述子坑和子岸的长度，使所述坑在分解后的读出信号不超过切分电平；控制所述子坑和子岸的长度，使所述岸在分解后的读出信号不低于切分电平。 

进一步，所述在坑的游程长度方向上形成的子岸的长度小于岸的游程长度。 

进一步，所述在岸的游程长度方向上形成的子坑的长度小于坑的游程长度。 

进一步，通过改变对坑/岸分解所得子岸/子坑的长度，使读出信号的升高/降低的幅度不同，实现多阶存储。 

进一步，通过改变对坑/岸分解所得子岸/子坑的位置，使读出信号的升高/降低的位置不同，实现多阶存储。 

进一步，通过改变对坑/岸分解所得子坑/子岸组合段的数目实现多阶存储。 

进一步，通过改变对坑/岸分解所得子岸/子坑的长度，改变对坑/岸分解所得子岸/子坑的位置，改变对坑/岸分解所得子坑/子岸组合段的数目三种方式中的两种或三种方式的组合实现多阶存储。 

进一步，所述光记录介质的游程长度是受限的，在所述光记录介质的通道序列中，两个非“0”数据之间最少有d个“0”，最多有k个“0”，其中，k、d均为整数，k大于等于d，d大于等于0，参数d确定了出现在所述通道序列中的最小游程长度，参数k确定了出现在所述通道序列中的最大游程长度。 

进一步，所述游程长度决定了实现存储的阶数，部分游程长度只实现二值存储。 

一种实现多阶存储的光记录介质，包括：