[发明专利]一种实现多阶存储的方法、光记录介质及其制作方法

权利要求书

1.一种在光记录介质上实现多阶游程长度受限存储的方法，包括步骤：

在用于存储信息的坑的游程长度方向上形成奇数段个相接的子坑 和子岸，并且使所述坑的游程长度上的第一段和最后一段形成为子坑；

在用于存储信息的岸的游程长度方向上形成奇数段个相接的子坑 和子岸，并且使所述岸的游程长度上的第一段和最后一段形成为子岸。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，控制所述子坑和子岸的 长度，使所述坑在分解后的读出信号不超过切分电平；控制所述子坑和子 岸的长度，使所述岸在分解后的读出信号不低于切分电平。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在坑的游程长度方 向上形成的子岸的长度小于岸的游程长度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在岸的游程长度方 向上形成的子坑的长度小于坑的游程长度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过改变对坑/岸分解所 得子岸/子坑的长度，使读出信号的升高/降低的幅度不同，实现多阶存储。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过改变对坑/岸分解所 得子岸/子坑的位置，使读出信号的升高/降低的位置不同，实现多阶存储。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过改变对坑/岸分解所 得子坑/子岸组合段的数目实现多阶存储。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过改变对坑/岸分解所 得子岸/子坑的长度，改变对坑/岸分解所得子岸/子坑的位置，改变对坑/ 岸分解所得子坑/子岸组合段的数目三种方式中的两种或三种方式的组合 实现多阶存储。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光记录介质的游程 长度是受限的，在所述光记录介质的通道序列中，两个非“0”数据之间 最少有d个“0”，最多有k个“0”，其中，k、d均为整数，k大于等于d， d大于等于0，参数d确定了出现在所述通道序列中的最小游程长度，参 数k确定了出现在所述通道序列中的最大游程长度。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述游程长度决定了 实现存储的阶数，部分游程长度只实现二值存储。

11.一种制造实现多阶存储的光记录介质的方法，包括步骤：

刻录母盘，形成不同游程长度的坑和岸；

制作金属的负像副盘；

使用注塑机压制盘片；

对压制出的盘片进行溅镀；

压模模压成光盘；

其特征在于，所述刻录母盘步骤中，在用于存储信息的坑的游程长度 上形成奇数段个相接的子坑和子岸，并且使所述坑的游程长度上的第一段 和最后一段形成为子坑；在用于存储信息的岸的游程长度上形成奇数段个 相接的子坑和子岸，并且使所述岸的游程长度上的第一段和最后一段形成 为子岸，以实现多阶存储。

12.根据权利要求11所述的制造实现多阶存储的光记录介质的方法， 其特征在于，控制所述子坑和子岸的长度，使所述坑在分解后的读出信号 不超过切分电平；控制所述子坑和子岸的长度，使所述岸在分解后的读出 信号不低于切分电平。

13.根据权利要求11所述的制造实现多阶存储的光记录介质的方法， 其特征在于，通过改变对坑/岸分解所得子岸/子坑的长度，使读出信号的 升高/降低的幅度不同，实现多阶存储。

14.根据权利要求11所述的制造实现多阶存储的光记录介质的方法， 其特征在于，通过改变对坑/岸分解所得子岸/子坑的位置，使读出信号的 升高/降低的位置不同，实现多阶存储。

15.根据权利要求11所述的制造实现多阶存储的光记录介质的方法， 其特征在于，通过改变对坑/岸分解所得子坑/子岸组合段的数目实现多阶 存储。