[发明专利]一种制备金属栅电极的方法有效
申请号: | 200710178281.X | 申请日: | 2007-11-28 |
公开(公告)号: | CN101447421A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 周华杰;徐秋霞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/76 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 金属 电极 方法 | ||
1.一种制备金属栅电极的方法,其特征在于,该方法包括:
局部氧化隔离或浅槽隔离,进行注入前氧化,然后注入14N+;
漂净注入前氧化膜,栅氧化,并沉积多晶硅;
光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极;
注入杂质,并进行杂质激活;
淀积金属镍Ni,退火硅化,使金属镍和多晶硅完全反应形成全硅化物金属栅;
选择去除未反应的金属镍Ni。
2.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述局部氧化隔离或浅槽隔离的步骤中,氧化温度为1000℃,隔离层厚度为3000至
所述注入前氧化的步骤中,氧化厚度为100至
所述注入14N+的步骤中,注入条件为:注入能量为10至30Kev,注入剂量为1×1014至6×1014cm-2。
3.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述漂净注入前氧化膜的步骤中,采用体积比为H2O∶HF=9∶1的溶液进行漂洗,然后采用3#腐蚀液清洗10分钟,1#腐蚀液清洗5分钟,HF/异丙醇IPA溶液室温下浸渍5分钟;该3#腐蚀液是体积比为5∶1的H2SO4与H2O2溶液;该1#腐蚀液是体积比为0.8∶1∶5的NH4OH+H2O2+H2O溶液。
4.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述栅氧化并沉积多晶硅的步骤中,栅氧化的厚度为15至沉积多晶硅采用化学气相淀积LPCVD方法,沉积的多晶硅的厚度为1000至
5.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述在光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极之前进一步包括:
去背面多晶硅,并漂净背面氧化层,然后进行背面注入,注入杂质31P,注入能量为50至100Kev,注入剂量为3×1015至6×1015cm-2。
6.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述在光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极的步骤包括:
采用厚度为1.5微米的9918胶作为掩模进行光刻,采用反应离子刻蚀多晶硅,将场区内多晶硅刻蚀干净,形成多晶硅栅电极。
7.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述注入杂质的步骤中,注入的杂质为P型杂质BF2,或者N型杂质As或P;
对于P型杂质BF2,注入条件为:注入能量5至30Kev,注入剂量为1×1015至5×1015cm-2;
对于N型杂质As,注入条件为:注入能量30至60Kev,注入剂量为1×1015至5×1015cm-2;
对于N型杂质P,注入条件为:注入能量40至60Kev,注入剂量为1×1015至3×1015cm-2。
8.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述进行杂质激活的步骤中,杂质激活的条件为:温度950至1020℃,时间2至20秒。
9.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述淀积金属镍Ni并退火硅化的步骤中,淀积金属镍Ni的厚度为600至退火条件为:温度500至580℃,时间30至60秒。
10.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述选择去除未反应的金属镍Ni的步骤中,采用3#腐蚀液进行腐蚀去除,该3#腐蚀液为体积比5∶1的H2SO4与H2O2溶液,腐蚀时间为20至30分钟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造