[发明专利]一种制备金属栅电极的方法有效

专利信息
申请号: 200710178281.X 申请日: 2007-11-28
公开(公告)号: CN101447421A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 周华杰;徐秋霞 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/76
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100029*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 金属 电极 方法
【权利要求书】:

1.一种制备金属栅电极的方法,其特征在于,该方法包括:

局部氧化隔离或浅槽隔离,进行注入前氧化,然后注入14N+

漂净注入前氧化膜,栅氧化,并沉积多晶硅;

光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极;

注入杂质,并进行杂质激活;

淀积金属镍Ni,退火硅化,使金属镍和多晶硅完全反应形成全硅化物金属栅;

选择去除未反应的金属镍Ni。

2.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述局部氧化隔离或浅槽隔离的步骤中,氧化温度为1000℃,隔离层厚度为3000至

所述注入前氧化的步骤中,氧化厚度为100至

所述注入14N+的步骤中,注入条件为:注入能量为10至30Kev,注入剂量为1×1014至6×1014cm-2

3.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述漂净注入前氧化膜的步骤中,采用体积比为H2O∶HF=9∶1的溶液进行漂洗,然后采用3#腐蚀液清洗10分钟,1#腐蚀液清洗5分钟,HF/异丙醇IPA溶液室温下浸渍5分钟;该3#腐蚀液是体积比为5∶1的H2SO4与H2O2溶液;该1#腐蚀液是体积比为0.8∶1∶5的NH4OH+H2O2+H2O溶液。

4.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述栅氧化并沉积多晶硅的步骤中,栅氧化的厚度为15至沉积多晶硅采用化学气相淀积LPCVD方法,沉积的多晶硅的厚度为1000至

5.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述在光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极之前进一步包括:

去背面多晶硅,并漂净背面氧化层,然后进行背面注入,注入杂质31P,注入能量为50至100Kev,注入剂量为3×1015至6×1015cm-2

6.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述在光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极的步骤包括:

采用厚度为1.5微米的9918胶作为掩模进行光刻,采用反应离子刻蚀多晶硅,将场区内多晶硅刻蚀干净,形成多晶硅栅电极。

7.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述注入杂质的步骤中,注入的杂质为P型杂质BF2,或者N型杂质As或P;

对于P型杂质BF2,注入条件为:注入能量5至30Kev,注入剂量为1×1015至5×1015cm-2

对于N型杂质As,注入条件为:注入能量30至60Kev,注入剂量为1×1015至5×1015cm-2

对于N型杂质P,注入条件为:注入能量40至60Kev,注入剂量为1×1015至3×1015cm-2

8.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述进行杂质激活的步骤中,杂质激活的条件为:温度950至1020℃,时间2至20秒。

9.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述淀积金属镍Ni并退火硅化的步骤中,淀积金属镍Ni的厚度为600至退火条件为:温度500至580℃,时间30至60秒。

10.根据权利要求1所述的制备金属栅电极的方法,其特征在于,所述选择去除未反应的金属镍Ni的步骤中,采用3#腐蚀液进行腐蚀去除,该3#腐蚀液为体积比5∶1的H2SO4与H2O2溶液,腐蚀时间为20至30分钟。

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