[发明专利]二氧化硅粉体的制备方法

权利要求书

1.一种二氧化硅粉体的制备方法，包括以下步骤：

提供碱性溶液和硅的卤化物；

将硅的卤化物加入到上述的碱性溶液中，产生正硅酸沉淀并得到一含有正硅酸沉淀的悬浮液；

过滤上述的含有正硅酸沉淀的悬浮液并洗涤所得的正硅酸沉淀，得到一正硅酸滤饼；

干燥上述的正硅酸滤饼，得到二氧化硅粉体。

2.如权利要求1所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，在过滤上述的含有正硅酸沉淀的悬浮液之前，还包括一陈化的步骤。

3.如权利要求1所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，所述的硅的卤化物为氟化硅、氯化硅、溴化硅、碘化硅、砹化硅以及它们的任意组合的混合物。

4.如权利要求3所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，所述的氯化硅为四氯化硅，该四氯化硅为化学反应合成的或化学反应中的副产物四氯化硅

5.如权利要求1所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，所述的碱性溶液为碱金属、碱土金属的氢氧化物溶液，碱金属、碱土金属的碳酸盐和碳酸氢盐，磷的含氧酸盐的可溶性水溶液，氨水，偏铝酸盐及上述溶液的任意组合。

6.如权利要求5所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，所述的碱性溶液溶质的质量浓度为2～30％。

7.如权利要求1所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，每升碱溶液中四氯化硅的加入速度为0.1g/min～20g/min。

8.如权利要求1所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，将硅的卤化物加入到上述碱性溶液中的反应温度为0℃～80℃。

9.如权利要求1所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，所述停止加入硅的卤化物时，上述含有正硅酸沉淀的悬浮液的pH值为6～8。

10.如权利要求2所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，所述洗涤正硅酸沉淀的步骤中，当滤液中测不出氯离子时，停止洗涤上述的正硅酸沉淀。

11.如权利要求1所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，干燥所述二氧化硅滤饼的温度为150～400℃。

12.如权利要求1所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，所得到的二氧化硅的粉体的一次粒子的平均粒径在5纳米～150纳米之间。

13.如权利要求12所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，所得到的二氧化硅的粉体的平均粒径在10纳米～50纳米之间。