[发明专利]一种在电场诱导发光中提高单线态发光比重的器件无效
申请号: | 200710177571.2 | 申请日: | 2007-11-19 |
公开(公告)号: | CN101159317A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 徐征;赵谡玲;张福俊;徐叙瑢 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100044北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电场 诱导 发光 提高 单线 比重 器件 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机场致发光器件。适用于电场诱导有机发光亮度的提高,电控平板显示所用发光屏幕亮度的提高等。
背景技术
有机场致发光常是激子的发光,它由单线态发光及三线态发光组成。统计结果在激发态中分子处于激发态的单线态及三线态的比重是1∶3,一般单线态发光,三线态不发光。如用光激发则被激发电子的自旋保持原值不变,这样它形成的激子就是单线态,从而在光致发光中,单线态发光的量子效率可以达到1。但在有机场致发光中,单线态的光学跃迁只占全部跃迁的1/4,因而它的发光的量子效率最大是1/4,最大是光致发光的量子效率的1/4,从而流行着一种观点,即有机场致发光的量子效率等于或小于其光致发光的1/4。
但另一方面,单线态的寿命较短,所以在一个单位时间内,三线态还处于激发态时,它可以多次被激发,多次发光,即所谓循环激发,使单线态的发光变强。有人利用这一特点在无机发光中作过实验,得到增强发光的预期结果,但在此处则失效,因在同一材料的光致发光中也同样可以实现循环激发。既与光致发光作比较,双方都可有循环激发,就没有优势了,必须另辟蹊径。
发明内容
针对上述光致发光中可有循环激发的特点,并考虑它的每次激发只能产生一个单线态激子,必须让一个电子对单线态的一次激发就能产生多个单线态激子,多于光致发光中由一个光子所引起的单线态激发数,才能有优于光致发光的条件。按这种标准审视各种发光,发现固态阴极射线发光中从SiO2加速出来的过热电子的能量可以大于10eV,在合适设计中甚至可以达到100eV。既然过热电子的能量有这么高,一个过热电子就可以激发出不止一个激子,由于电子碰撞激发和光的激发一样,不改变电子自旋,从而产生的都是单线态。如上所述,单线态的循环激发在场致发光和光致发光中都有,在直流激发及恒定光下应该都一样发光,分不出优劣。如固体阴极射线的一个过热电子激发出1个激子,损失了能量后仍未消失,它可与注入的空穴复合形成有机场致发光。这样单线态及三线态的统计比重就变成了
本发明的技术方案:
一种在电场诱导发光中提高单线态发光比重的器件,该器件是在ITO/SiO2/OEL/Al结构中的SiO2层及p型OEL层之间加一半透电子的Au电极;
给SiO2层和AL之间施加直流电场V1=3.5MV/cm,大的电场强度,有利于获得高能量的过热电子,SiO2层的厚度为150nm;
给OEL层和ITO之间施加直流电压V2=10V,OEL层厚度为30nm;
构成一种在电场诱导发光中提高单线态发光比重的器件的结构为:
ITO/SiO2/Au/OEL/Al。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择