[发明专利]一种纳米尺寸空气槽的制作方法

权利要求书

1.一种纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

光刻步骤，在顶层为硅材料，底层为任意材料的衬底表面，利用光刻技术将曝光图形转移到光刻胶上；

刻蚀步骤，采用光刻胶作掩模，利用干法刻蚀技术对顶层硅材料进行刻蚀，形成纵向刻蚀槽；

氧化步骤，利用热氧化技术在顶层硅材料表面形成一层氧化层，该氧化层的厚度在7纳米到15纳米之间；

沉积步骤，利用化学气相沉积技术，采用沉积源材料向刻蚀槽中填充氧化硅，最终形成纳米尺寸的空气槽，该空气槽的横截面形状为等腰三角形或等腰梯形，且该横截面为等腰梯形的空气槽是通过在沉积过程中，当空气槽顶部未封口时即停止沉积而形成的。

2.如权利要求1所述的纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，所述光刻技术为电子束光刻技术、深紫外线光刻技术或X射线光刻技术。

3.如权利要求1所述的纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，所述光刻胶为电子束光刻胶、深紫外线光刻胶或X射线光刻胶。

4.如权利要求1所述的纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，所述干法刻蚀技术为电感耦合等离子体刻蚀技术或反应离子刻蚀技术。

5.如权利要求1所述的纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，所述顶层为硅材料，底层为任意材料的衬底为绝缘体上的硅。

6.如权利要求1所述的纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，所述化学气相沉积技术为低压化学气相沉积技术或等离子体增强化学气相沉积技术。

7.如权利要求1所述的纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，所述沉积源材料为正硅酸乙酯、氮化硅或氮氧化硅。

8.如权利要求1所述的纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，所述曝光图形的形状为矩形、正方形或圆形。

9.如权利要求1所述的纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，所述刻蚀槽的横截面形状为矩形或正梯形。

10.如权利要求1所述的纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，所述空气槽为三维的棱锥或三维的圆锥。

11.如权利要求1所述的纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，在所述空气槽的顶部未封口时即停止沉积，采用所述沉积材料作微掩膜，利用沉积技术在槽内填充纳米线材料，构成纳米线。

12.如权利要求11所述的纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，所述纳米线材料为硅基材料中的氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，或为金属材料中的金、银、铝、铜或锌，或为化合物材料中的氮化镓、砷化镓或磷化铟。