[发明专利]一种局域表面等离子体生化传感器的制作方法有效

专利信息
申请号: 200710176015.3 申请日: 2007-10-17
公开(公告)号: CN101144812A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 罗先刚;朱少丽;杨欢;杜春雷 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: G01N33/50 分类号: G01N33/50;G01N21/55
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人: 贾玉忠;卢纪
地址: 61020*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 局域 表面 等离子体 生化 传感器 制作方法
【权利要求书】:

1.一种局域表面等离子体生化传感器的制作方法,其特征在于步骤如下:

(1)根据透射波长的需要选择基底材料,并对基底进行清洗、干燥;

(2)将清洗干净的基底平放在水平面上,然后均匀的组装一层纳米球;

(3)待组装后的纳米球干燥后,在组装后的球和基底上蒸镀一层金属,然后用氮气进行干燥;

(4)根据基底和纳米球的折射率的特点选择具有折射率的胶旋涂在金属表面,然后干燥,这就完成了传感器的制作。

2.根据权利要求1所述一种局域表面等离子体生化传感器的制作方法,其特征在于:所述步骤(1)中的选择的基底材料为可见光材料玻璃、或石英,或红外材料硅。

3.根据权利要求1所述一种局域表面等离子体生化传感器的制作方法,其特征在于:所述步骤(2)中的纳米球为不同直径的玻璃球、或聚苯乙烯,或其他塑料球。

4.根据权利要求1所述一种局域表面等离子体生化传感器的制作方法,其特征在于:所述步骤(3)中蒸镀的金属材料为银、或金、或铝,金属的厚度为30~60nm。

5.根据权利要求1或4所述一种局域表面等离子体生化传感器的制作方法,其特征在于:所述步骤(3)中蒸镀一层金属后,纳米球顶部存在金属阵列结构,基底上也存在呈六角形分布的金属阵列结构,两种金属结构组成的混合金属结构形状不同,周期相同。

6.根据权利要求1所述一种局域表面等离子体生化传感器的制作方法,其特征在于:所述步骤(4)中,在改变折射率时,采用将已知折射率的胶旋涂在金属表面形成一层膜的方法。

7.根据权利要求1所述一种局域表面等离子体生化传感器的制作方法,其特征在于:所述步骤(4)中涂胶是为了改变混合金属周围介质的折射率的大小,其材料为根据实验需要配置的具有折射率的无机胶,其厚度为5~10nm左右。

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