[发明专利]一种增强保护电路过电流能力的放电单元及其制作方法

权利要求书

1.一种增强保护电路过电流能力的放电单元，所述保护电路具有电源总线和放电总线，与集成电路芯片的焊盘连接，其特征在于，所述放电单元包括达林顿结构的复合晶体管，具有一个输入端和一个输出端；所述输入端与所述焊盘连接，所述输出端与放电总线/电源总线连接。

2.如权利要求1所述的放电单元，其特征在于，所述放电单元由第一NPN型双极型晶体管和第二NPN型双极型晶体管组成达林顿结构的复合晶体管，第一电阻以及第二电阻组成；所述第一NPN管的基极与第二NPN管的基极通过所述第一电阻连接之后通过所述第二电阻与放电总线连接；所述放电单元的输入端为两个NPN管的集电极，所述放电单元的输出端为第二NPN管的发射极并与放电总线进行连接。

3.如权利要求1所述的放电单元，其特征在于，所述放电单元由第一PNP型双极型晶体管和第二PNP型双极型晶体管组成达林顿结构的复合晶体管，第三电阻组成，；第一PNP管的基极通过所述第三电阻与电源总线进行连接，所述第一PNP管的发射极与第二PNP管的基极连接；所述放电单元的输入端为第二PNP管的发射极，所述输出端为第一和第二PNP管的集电极并与电源总线进行连接。

4.如权利要求1所述的放电单元，其特征在于，所述放电单元由第一PNP型双极型晶体管和第二PNP型双极型晶体管组成达林顿结构的复合晶体管，第三电阻和第四电阻组成；所述第一PNP管的基极通过所述第四电阻与所述第二PNP管的基极连接后通过所述第三电阻与电源总线进行连接；所述放电单元的输入端为第二PNP管的发射极，所述输出端为第一和第二PNP管的集电极并与电源总线进行连接。

5.一种如权利要求1所述放电单元的制作方法，它包括在提供的衬底上制作P阱和N阱，制作N型和P型掺杂区作为引线区或晶体管的集电极和发射极，利用浅槽隔离对所述掺杂区隔离，其特征在于，所述放电单元为两个NPN双极型达林顿结构的复合晶体管或两个PNP双极型达林顿结构的复合晶体管；当放电单元为第一NPN双极型晶体管和第二NPN双极型晶体管组成达林顿结构的复合晶体管时，所述放电单元的输出端为所述第二NPN管的发射极，所述第一NPN双极型晶体管的P型基极与所述作为P型基极引线区的P型掺杂区采用N型阱隔离；所述放电单元的输入端为所述第一NPN管和第二NPN管的集电极，采用N阱或者所述浅槽隔离将所述两NPN管的集电极隔离；当放电单元为两PNP双极型达林顿结构的复合晶体管时，所述放电单元的输出端为两PNP管的集电极，采用所述P阱或所述浅槽隔离进行隔离。