[发明专利]铝镓氮-锆钛酸铅焦平面探测器无效
申请号: | 200710172703.2 | 申请日: | 2007-12-21 |
公开(公告)号: | CN101211958A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 张燕;孙璟兰;王妮丽;李向阳;陈杰;刘向阳;韩莉;孟祥建 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L27/16 | 分类号: | H01L27/16;H01L27/144;H01L31/09;H01L37/00;G01J1/00;G01J5/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铝镓氮 锆钛酸铅焦 平面 探测器 | ||
技术领域
本发明涉及紫外-红外波段焦平面探测器,具体是指由多层薄膜叠加集成的铝镓氮-锆钛酸铅(AlGaN/PZT)焦平面探测器。
背景技术
目前报道的两个或多个窄波段集成焦平面探测器,主要集中在红外和可见波段范围,紫外-红外波段集成的探测器报道很少,仅有二篇中国专利。一篇题为“氮化镓基紫外-红外双色集成探测器”,专利号:200510026720.6。此专利由在蓝宝石衬底上依次排列生长的N+-GaN电极层、GaN基多量子阱、AlxGa1-xN紫外吸收层、叉指电极组成;要探测的紫外波长和红外波长分别由AlxGa1-xN紫外吸收层和GaN基多量子阱中AlxGa1-xN势垒层的组分x确定。由于MSM结构的填充因子低以及量子阱本身的特点,探测器的量子效率不易提高。另有一篇题为“AlGaN/PZT紫外/红外双波段探测器”,申请号:200710041610.6。该专利在宝石基板两侧分别实现紫外和红外波段的探测,这种结构的缺点是不能用于大规模焦平面探测器。
发明内容
本发明的目的是提出一种可以克服上述已有结构所存在的问题的AlGaN-PZT焦平面探测器,该探测器采用薄膜结构,在衬底同一面依次排列集成,实现紫外和可见-红外探测,可室温工作。
本发明的AlGaN-PZT焦平面探测器,包括:蓝宝石衬底1,在蓝宝石衬底1上依次置有AlGaN结构的NIP型紫外列阵探测器件和PZT铁电复合薄膜结构的红外列阵探测器,在紫外列阵探测器和PZT铁电复合薄膜列阵探测器之间置有防止串音的多孔SiO2隔热层7。
所说的AlGaN紫外列阵探测器包括:依次排列外延生长在蓝宝石衬底1的AlN缓冲层2、N型AlxGa1-xN层3、i型AlyGa1-yN层4和P型AlyGa1-yN层5,在外延层上通过刻蚀形成AlGaN光敏元列阵,在N型AlxGa1-xN层3上置有公共电极12,在P型AlyGa1-yN层5上置有P电极11,侧面和正面裸露的AlGaN光敏元列阵上置有SiO2钝化层6。
所说的PZT列阵探测器由置在多孔SiO2隔热层7上的通过溶胶-凝胶法依次排列生长的LaNiO3层8、PZT层9组成。LaNiO3层8作为下电极层,PZT层9上置有上电极10。
所说的紫外探测波长与AlGaN的组份有关,短波截止波长由N型AlxGa1-xN层3的组分x决定,长波截止波长由P型AlyGa1-yN层5的组分y决定。
本发明的探测器采用背入射方式工作,工作过程是:当一束含有紫外、可见、红外成分的入射光照射到器件表面时,首先透过蓝宝石衬底和AlN层,能量大于N型AlxGa1-xN层禁带宽度的光子被该层吸收,能量在N型AlxGa1-xN层和P型AlyGa1-yN层的禁带宽度中间的光子产生电子空穴对,经pn结电场加速收集,产生光信号输出;能量小于P型AlyGa1-yN层禁带宽度的光子穿过SiO2钝化层6、多孔SiO2隔热层7,在LaNiO3层8上转化为热,PZT层9接受热信号,转化为电信号输出。由于入射光垂直经过各层,产生电信号输出,因此该结构可以实现紫外到红外的同时同位置探测。
本发明的最大优点在于:
1.可以同时探测紫外到红外波段的信号,并且在紫外波段具有很高的量子效率,可见-红外波段的光谱响应很宽。
2.该探测器在紫外波段的响应可以根据应用需求通过调整AlxGa1-xN层的组分来进行调节。
3.该探测器与大规模、高可靠性的焦平面发展方向一致,有广泛的应用前景;
4.制作工艺可行,室温工作,使用方便。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的