[发明专利]铝镓氮-锆钛酸铅焦平面探测器无效

专利信息
申请号: 200710172703.2 申请日: 2007-12-21
公开(公告)号: CN101211958A 公开(公告)日: 2008-07-02
发明(设计)人: 张燕;孙璟兰;王妮丽;李向阳;陈杰;刘向阳;韩莉;孟祥建 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L27/16 分类号: H01L27/16;H01L27/144;H01L31/09;H01L37/00;G01J1/00;G01J5/00
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 郭英
地址: 20008*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 铝镓氮 锆钛酸铅焦 平面 探测器
【权利要求书】:

1.一种AlGaN-PZT焦平面探测器,包括:蓝宝石衬底(1),其特征在于:

在蓝宝石衬底(1)上依次置有AlGaN NIP型紫外列阵探测器和PZT铁电复合薄膜红外列阵探测器;在紫外列阵探测器和PZT铁电复合薄膜列阵探测器之间置有防止串音的多孔SiO2隔热层(7)。

2.根据权利要求1的一种AlGaN-PZT焦平面探测器,其特征在于:所说的AlGaN紫外列阵探测器包括:依次排列外延生长在蓝宝石衬底(1)的AlN缓冲层(2)、N型AlxGa1-xN层(3)、i型AlxGa1-xN层(4)和P型AlxGa1-xN层(5),在外延层上通过刻蚀形成AlGaN光敏元列阵;在N型AlxGa1-xN层(3)上置有公共电极(12),在P型AlxGa1-xN层(5)上置有P电极(11),侧面和正面裸露的AlGaN光敏元列阵上置有SiO2钝化层(6)。

3.根据权利要求1的一种AlGaN-PZT焦平面探测器,其特征在于:所说的PZT列阵探测器由置在多孔SiO2隔热层(7)上的通过溶胶-凝胶法依次排列生长的LaNiO3层(8)、PZT层(9)组成;LaNiO3层(8)作为下电极层,PZT层(9)上置有上电极(10)。

4.根据权利要求1的一种AlGaN-PZT焦平面探测器,其特征在于:所说的紫外探测器的探测波长与AlGaN的组份有关,短波截止波长由N型AlxGa1-xN层(3)的组分x决定,长波截止波长由P型AlyGa1-yN层(5)的组分y决定。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710172703.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top