[发明专利]铝镓氮-锆钛酸铅焦平面探测器无效
| 申请号: | 200710172703.2 | 申请日: | 2007-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN101211958A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
| 发明(设计)人: | 张燕;孙璟兰;王妮丽;李向阳;陈杰;刘向阳;韩莉;孟祥建 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号: | H01L27/16 | 分类号: | H01L27/16;H01L27/144;H01L31/09;H01L37/00;G01J1/00;G01J5/00 |
| 代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 铝镓氮 锆钛酸铅焦 平面 探测器 | ||
1.一种AlGaN-PZT焦平面探测器,包括:蓝宝石衬底(1),其特征在于:
在蓝宝石衬底(1)上依次置有AlGaN NIP型紫外列阵探测器和PZT铁电复合薄膜红外列阵探测器;在紫外列阵探测器和PZT铁电复合薄膜列阵探测器之间置有防止串音的多孔SiO2隔热层(7)。
2.根据权利要求1的一种AlGaN-PZT焦平面探测器,其特征在于:所说的AlGaN紫外列阵探测器包括:依次排列外延生长在蓝宝石衬底(1)的AlN缓冲层(2)、N型AlxGa1-xN层(3)、i型AlxGa1-xN层(4)和P型AlxGa1-xN层(5),在外延层上通过刻蚀形成AlGaN光敏元列阵;在N型AlxGa1-xN层(3)上置有公共电极(12),在P型AlxGa1-xN层(5)上置有P电极(11),侧面和正面裸露的AlGaN光敏元列阵上置有SiO2钝化层(6)。
3.根据权利要求1的一种AlGaN-PZT焦平面探测器,其特征在于:所说的PZT列阵探测器由置在多孔SiO2隔热层(7)上的通过溶胶-凝胶法依次排列生长的LaNiO3层(8)、PZT层(9)组成;LaNiO3层(8)作为下电极层,PZT层(9)上置有上电极(10)。
4.根据权利要求1的一种AlGaN-PZT焦平面探测器,其特征在于:所说的紫外探测器的探测波长与AlGaN的组份有关,短波截止波长由N型AlxGa1-xN层(3)的组分x决定,长波截止波长由P型AlyGa1-yN层(5)的组分y决定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





