[发明专利]双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法

权利要求书

1.一种双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法，其特征在于，首先将质量分数90％In₂O₃和质量分数10％SnO₂的均匀混合物制成ITO板材，将ITO板材和金属Zr板材加工成ITO靶和Zr靶，将双靶和基底分别经过清洗后先后装入溅射仪，溅射制备Zr掺杂ITO薄膜，所述的Zr掺杂ITO薄膜中金属原子个数比为：ln∶Sn∶Zr＝9∶1∶0.2。

2.根据权利要求1所述的双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法，其特征是，所述制成ITO板材，采用热等静压等方法。

3.根据权利要求1所述的双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法，其特征是，所述的ITO靶和Zr靶，其直径为Φ60mm，厚度为5mm。

4.根据权利要求1或3所述的双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法，其特征是，所述ITO靶和Zr靶与基底底座倾斜成60°，基底与各靶对称分布且距离都为65cm。

5.根据权利要求1或3所述的双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法，其特征是，所述ITO靶和Zr靶，在溅射之前经过5分钟预溅射清洗。

6.根据权利要求1所述的双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法，其特征是，所述溅射，其方式采用直流和射频磁控溅射，ITO靶的直流溅射功率为45W，金属Zr靶的射频溅射功率范围为5W-20W。

7.根据权利要求1或6所述的双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法，其特征是，所述溅射，其具体参数条件为：基底温度20℃-400℃，本底真空度为10-4Pa，氧流量范围为0sccm-1.5sccm，通过控制Ar气使工作气压保持在0.5Pa。

8.根据权利要求7所述的双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法，其特征是，所述溅射，其基底温度为300℃，氧流量为0.3sccm。

9.根据权利要求1所述的双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法，其特征是，所述基底，其底座在溅射过程中旋转速度为10rpm。

10.根据权利要求1所述的双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法，其特征是，所述Zr掺杂ITO薄膜中，Zr完全固溶于ITO薄膜中。