[发明专利]DRAM中电容层的制作方法有效
| 申请号： | 200710171604.2 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101452887A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 刘娟;李承赫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dram 电容 制作方法 | ||
1.DRAM中电容层的制作方法，其特征在于，它包括以下步骤：
步骤1：将光刻胶呈国际象棋棋盘中黑格或白格的排列方式显影在具有保护层的DRAM晶片上，且相邻光刻胶之间具有间隙；
步骤2：依照步骤1中光刻胶图案，蚀刻保护层，保留光刻胶下保护层部分，形成呈国际象棋棋盘中黑格或白格的排列方式的保护块；
步骤3：淀积绝缘层，去除保护块顶部以及保护块之间的绝缘物，保留保护块侧边的绝缘物；
步骤4：挖掉保护块，保留保护块侧边的绝缘物，形成绝缘物竖框；
步骤5：淀积底部电极层，去除绝缘物竖框顶部的底部电极层部分；
步骤6：淀积介质层，淀积顶部电极。
2.如权利要求1所述的DRAM中电容层的制作方法，其特征在于，所述步骤3中去除保护块顶部以及保护块之间的绝缘物，保留保护块侧边的绝缘物是通过非各向异性蚀刻。
3.如权利要求1所述的DRAM中电容层的制作方法，其特征在于，所述步骤5中去除绝缘物竖框顶部的底部电极层部分是采用化学机械抛光去除。
4.如权利要求3所述的DRAM中电容层的制作方法，其特征在于，所述采用化学机械抛光去除绝缘物竖框顶部的底部电极层部分时可先在绝缘物竖框中填充化学机械抛光缓冲剂，在化学机械抛光之后去除所述缓冲剂。
5.如权利要求4所述的DRAM中电容层的制作方法，其特征在于，所述缓冲剂可选择光刻胶。
6.如权利要求1所述的DRAM中电容层的制作方法，其特征在于，所述保护层材料为硅氧化物。
7.如权利要求1所述的DRAM中电容层的制作方法，其特征在于，所述绝缘物为氮化物。
8.如权利要求7所述的DRAM中电容层的制作方法，其特征在于，所述氮化物为氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
