[发明专利]硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法有效
| 申请号： | 200710170950.9 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101441996A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 安辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027;H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硬掩膜层 形成 方法 刻蚀 | ||
【权利要求书】：
1.一种刻蚀方法，其通过形成新的硬掩膜层来提高后续刻蚀的质量，其特征 在于，包括步骤：
提供衬底，且所述衬底上已形成刻蚀停止层、待刻蚀层；
在所述待刻蚀层上形成初始硬掩膜层，所述初始硬掩膜层包括低温氧化 硅层；
对所述初始硬掩膜层进行等离子体处理，形成致密、平滑的硬掩膜层， 其中，所述等离子体处理的具体条件为：氧气的流量在100至300sccm之间， 射频功率在500至1000W之间，压力在5至10mTorr之间，处理时间在10 至60秒之间；
利用光刻胶在所述硬掩膜层上形成光刻图形；
以所述光刻图形为掩膜去除曝露在外的所述硬掩膜层；
以所述光刻图形及所述硬掩膜层为掩膜去除曝露在外的所述待刻蚀层。
2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述待刻蚀层包括黑钻石材 料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
