[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板，更具体地涉及一种用于液晶显示器(LCD)的薄膜晶体管阵列面板。

背景技术

LCD是一种最常用的平板显示器。LCD包括提供有场发生电极的两个面板和布置于两个面板之间的液晶(LC)层。场发生电极包括多个像素电极和公共电极。电压施加到场发生电极上以在LC层中产生电场。电场决定LC层中的LC分子的配向以调节LC层中的入射光的偏振。具有调节的偏振的入射光由偏振膜拦截或允许通过偏振膜，从而显示图像。

根据LCD使用的光源，可以将LCD分类为透射的或反射的。透射LCD的光源是背光。反射LCD的光源是外部光。反射型LCD可以实施于小或中尺寸的显示装置中。

半透射LCD根据环境而使用背光和外部光作为光源，并也可以实施于小或中尺寸的显示装置中。

然而，在LCD中显示区域的边缘附近LC分子以无序的方式排列，因此在显示的图像中引起向错(disclination)。向错可以通过增加LCD中光阻挡层(light blocking layer)的宽度得到改善，但是这也减少了LCD中像素的开口率(开口率)。因此，需要一种能减少向错而不降低LCD中像素的开口率的LCD。

发明内容

在本发明的示范性实施例中，提供了薄膜晶体管阵列面板。薄膜晶体管阵列面板包括：绝缘基板，形成于基板上的多个栅极线，多个数据线，和绝缘层。每个栅极线包括多个栅电极。数据线与栅极线交叉且它们之间绝缘。每个数据线包括多个源电极。多个漏电极面对源电极。绝缘层形成于栅极线、数据线和漏电极上。多个像素电极形成于绝缘层上并连接至漏电极。绝缘层在没有被像素电极覆盖的位置处具有布置于绝缘层内的开口或沟槽。

绝缘层可以由有机绝缘材料制成。薄膜晶体管阵列面板还包括布置于相邻的像素电极之间并与开口或沟槽重叠的光阻挡层。光阻挡层可以由与栅极线相同的层制成而没有与栅极线重叠。光阻挡层可与数据线重叠。薄膜晶体管阵列面板还包括形成于绝缘层下面并覆盖栅极线、数据线和漏电极的钝化层。钝化层和绝缘层具有多个接触孔以连接像素电极至漏电极。像素电极可以包括由透明导电材料制成的透明电极和由反射材料制成的反射电极。绝缘层可以有凹凸(embossed)表面。每个像素电极可以包括由透明电极占据的第一区域和由透明电极和反射电极占据的第二区域。

根据本发明的示范性实施例，提供了制造TFT阵列面板的方法。该方法包括以下步骤：在绝缘基板上形成第一导电层并从导电层构图栅极线；在第一导电层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成本征层；在本征层上形成非本征层；在非本征层上形成第二导电层并从第二导电层构图数据线；在第二导电层上形成绝缘层；在绝缘层上形成像素电极；以及通过除去没有被像素电极覆盖的绝缘层的部分形成沟槽。

该方法可包括：在形成所述绝缘层之前在所述第二导电层上形成钝化层，在相邻的像素电极之间形成光阻挡层并与沟槽重叠的步骤，从第一导电层构图栅电极和存储电极的步骤，从非本征层构图非本征半导体条和从本征层构图本征半导体条的步骤，从第二导电层构图源电极和漏电极的步骤，或在绝缘层上凹凸压印图案的步骤。

附图说明

图1是根据本发明的示范性实施例的LCD的布局图。

图2，图3和图4是图1所示的LCD沿线II-II，III-III和IV-IV的剖面图。

图5是根据本发明的示范性实施例用于LCD的薄膜晶体管阵列面板的布局图。

图6是图5中所示的薄膜晶体管阵列面板沿线VI-VI的剖面图。

图7，图9和图11和图13是根据本发明的示范性实施例图5和图6中所示的TFT阵列面板在其制造方法的步骤中的布局图。

图8是图7中所示的TFT阵列面板沿线VIII-VIII的剖面图。

图10是图9中所示的TFT阵列面板沿线X-X的剖面图。

图12是图11中所示的TFT阵列面板沿线XII-XII的剖面图。

图14是图13中所示的TFT阵列面板沿线XIV-XIV的剖面图。

图15是在绝缘层上添加像素电极之后图13中所示的TFT阵列面板沿线XIV-XIV的剖面图。

图16是示出在常规LCD中产生的漏光的图。

图17是示出根据本发明的示例实施例的LCD中产生的漏光的图。

具体实施方式

此后，将参考附图描述本发明的示范性实施例。然而，此发明可以以不同的方式体现并不应解释为限制于这里阐述的实施例。