[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

绝缘基板；

多个栅极线，形成于所述基板上，其中每个所述栅极线包括多个栅电极；

多个数据线，交叉所述栅极线且与所述栅极线之间绝缘，其中每个所述数据线包括多个源电极；

多个漏电极，面对所述源电极；

绝缘层，形成于所述栅极线、数据线和漏电极上；以及

多个像素电极，形成于所述绝缘层上并连接至所述漏电极，

其中所述绝缘层具有开口或沟槽，且所述开口或沟槽设置在所述绝缘层的没有被所述像素电极覆盖的部分中。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述绝缘层由有机绝缘材料制成。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括设置在相邻的像素电极之间并与所述开口或沟槽重叠的光阻挡层。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述光阻挡层由与所述栅极线相同的层制成而不与所述栅极线重叠。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述光阻挡层与所述数据线重叠。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括形成于所述绝缘层下面并覆盖所述栅极线、数据线和漏电极的钝化层。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述钝化层和所述绝缘层具有多个接触孔从而连接所述像素电极至所述漏电极。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述像素电极包括由透明导电材料制成的透明电极和由反射材料制成的反射电极。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述绝缘层具有凹凸的表面。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，其中由像素电极占据的像素区域包括仅被透明电极占据的第一区域和被透明电极和反射电极占据的第二区域。

11.一种制造TFT阵列面板的方法，包括：

在绝缘基板上形成第一导电层并由该导电层构图栅极线；

在所述第一导电层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成本征层；

在所述本征层上形成非本征层；

在所述非本征层上形成第二导电层并由所述第二导电层构图数据线；

在所述第二导电层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成像素电极；以及

通过除去所述绝缘层的没有被所述像素电极覆盖的部分形成沟槽。

12.如权利要求11所述的方法，还包括：

在形成所述绝缘层之前在所述第二导电层上形成钝化层。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述钝化层由氮化硅或氧化硅制成。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述本征和非本征层由a-Si或多晶硅制成。

15.如权利要求11所述的方法，其中所述栅极绝缘层以至的厚度沉积。

16.如权利要求11所述的方法，还包括：

在相邻的像素电极之间形成光阻挡层并与沟槽重叠。

17.如权利要求11所述的方法，还包括：

由所述第一导电层构图栅电极和存储电极。

18.如权利要求11所述的方法，还包括：

由所述非本征层构图非本征半导体条和由所述本征层构图本征半导体条。

19.如权利要求11所述的方法，还包括：

由所述第二导电层构图源电极和漏电极。

20.如权利要求11所述的方法，还包括：

在所述绝缘层上压印图案。