[发明专利]多堆叠封装及其制造方法

权利要求书

1.一种多堆叠封装，包括：

第一封装，包括第一基板和第一半导体芯片，所述第一半导体芯片利用第一粘合层安装到所述第一基板，该第一基板具有第一开口，该第一开口关于所述第一半导体芯片在垂直方向上基本对准；和

第二封装，与第一封装耦合，该第二封装包括第二基板和第二半导体芯片，该第二半导体芯片利用第二粘合层安装到所述第二基板，所述第二半导体芯片关于所述第一开口在所述垂直方向上基板对准，至少一部分所述第二封装延伸到由所述第一开口限定的空间中使得所述多堆叠封装的高度小于与所述第一封装和所述第二封装有关的高度之和。

2.权利要求1所述的多堆叠封装，其中所述第二半导体芯片由密封剂密封住，和其中至少一部分密封剂延伸到由所述第一开口限定的所述空间中。

3.权利要求1所述的多堆叠封装，其中封装间间隙填充物存在于至少一部分由所述第一开口限定的所述空间中。

4.权利要求3所述的多堆叠封装，其中所述封装间间隙填充物是粘合材料。

5.权利要求3所述的多堆叠封装，其中所述封装间间隙填充物是非粘合材料。

6.权利要求3所述的多堆叠封装，其中所述封装间间隙填充物是热化合物。

7.权利要求3所述的多堆叠封装，其中所述封装间间隙填充物是导电材料。

8.权利要求1所述的多堆叠封装，其中所述第一粘合层包括第二开口，该第二开口关于所述第一开口在所述垂直方向上基本对准。

9.权利要求8所述的多堆叠封装，其中封装间间隙填充物存在于至少一部分由所述第一开口限定的所述空间中，和其中所述封装间间隙填充物还存在于至少一部分由所述第二开口限定的空间中。

10.权利要求1所述的多堆叠封装，其中所述第一封装包括第三半导体芯片，该第三半导体芯片关于所述第一半导体芯片在所述垂直方向上基本对准，该第三半导体芯片通过第三粘合层安装到所述第一半导体芯片。

11.一种多堆叠封装的制造方法，所述方法包括：

在第一基板上安装第一半导体芯片，安装第一半导体芯片包括施加第一粘合层到所述第一基板；

在第二基板上安装第二半导体芯片；

密封所述第二半导体芯片以形成密封的第二半导体芯片；

去除一部分所述第一基板以产生第一开口，该第一开口关于所述第一半导体芯片在垂直方向上基本对准；和

将至少一部分所述密封的第二半导体芯片插入到所述第一开口中。

12.权利要求11的方法，还包括在所述第一半导体芯片上安装第三半导体芯片，该第三半导体芯片关于所述第一半导体芯片在所述垂直方向上基本对准。

13.权利要求11的方法，还包括在去除一部分第一基板之后以及插入至少一部分所述密封的第二半导体芯片之前施加封装间间隙填充物到至少一部分所述第一开口中。

14.权利要求11的方法，还包括在去除一部分第一基板之后以及插入至少一部分所述密封的第二半导体芯片之前去除由所述第一开口暴露的一部分所述第一粘合层。

15.权利要求11的方法，还包括在插入至少一部分所述密封的第二半导体芯片之后将封装间间隙填充物注入到至少一部分所述第一开口中。

16.一种多堆叠封装的制造方法，所述方法包括：

去除一部分第一基板以产生第一开口；

在所述第一基板上安装第一半导体芯片，该第一半导体芯片关于所述第一开口在垂直方向上基本对准，安装第一半导体芯片包括施加第一粘合层到所述第一基板；

在第二基板上安装第二半导体芯片；

密封所述第二半导体芯片以形成密封的第二半导体芯片；和

将至少一部分所述密封的第二半导体芯片插入到所述第一开口中。

17.权利要求16的方法，还包括在所述第一半导体芯片上安装第三半导体芯片，该第三半导体芯片关于所述第一半导体芯片在所述垂直方向上基本对准。

18.权利要求16的方法，还包括在插入至少一部分所述密封的第二半导体芯片之前施加封装间间隙填充物到至少一部分所述第一开口中。