[发明专利]主动矩阵型液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种主动矩阵型液晶显示装置，尤其涉及一种主动矩阵型液晶显示装置，其针对通过绝缘层而形成在同一基板上的上部电极层与下部电极层，将其中任一者分配给共用电极层，将另外一者分配给像素电极层，在前述上部电极层以彼此平行的方式形成让电场通过的多个开口部，且将电压施加于前述上部电极层与前述下部电极层之间而驱动液晶分子。

背景技术

以主动矩阵型液晶显示装置的显示方式而言，以往广泛使用TN(Twisted Nematic，扭转向列型)方式，但该方式在显示原理上、视角上均有所限制。以解决该情况的方法而言，已知有一种方式在同一基板上形成像素电极与共同电极，在该像素电极与共同电极之间施加电压，而产生与基板大致平行的电场，且在大致与基板面呈平行的面内驱动液晶分子的横电场方式。

关于横电场方式，已知有IPS(In Plane Switching，平面切换)方式、及FFS(Fringe Field Switch，边缘场切换)方式。在IPS方式中，将梳状像素电极与梳状共同电极组合配置。在FFS方式中，则涉及到通过绝缘层所形成的上部电极层与下部电极层，将其中任一者分配给共用电极层，将另外一者分配给像素电极层，在上部电极层形成例如狭缝(slit)等作为让电场通过的开口。

以上部电极层与下部电极层之间的绝缘层而言，在专利文件1中已揭示当由包夹绝缘膜的上下两层ITO构成像素电极与共同信号电极时，作为上下ITO之间的绝缘层，有利用TFT的表面保护绝缘层的一层所构成的例子、以及利用TFT的栅极绝缘膜所构成的例子。

专利文件1：日本特开2001-183685号公报

发明内容

在主动矩阵型液晶显示装置中，为了抑制在驱动液晶时的像素电位变化而设置保持电容。若为FFS方式时，可利用上部电极层与下部电极层之间的绝缘膜，将形成在上部电极层与下部电极层之间的重叠部分的电容作为保持电容使用。但是，当将形成在上部电极层与下部电极层的重叠部分的电容作为保持电容使用时，保持电容的大小会取决于液晶显示装置中的像素密度而改变。例如，当像素密度变大，1像素在平面上的面积变小时，保持电容会变小，相反地，当像素密度变小时，1像素在平面上的面积会变大而使保持电容会变大。

为防止该情况，例如考虑将上部电极层与下部电极层之间的绝缘膜的膜厚根据像素密度而改变。但是，当将作为上述专利文件1所述的例之一的TFT的栅极绝缘膜作为上部电极层与下部电极层之间的绝缘膜使用时，由于TFT的栅极绝缘膜的膜厚为TFT特性上的重要参数，因此并无法简单变更。此外，作为另一例而述的TFT的表面保护绝缘层若过薄时，恐有影响可靠性的问题。除此以外，虽考虑利用设在TFT的表面保护绝缘层上的平坦化绝缘膜，但由于其是由丙烯酸膜等所形成，因此膜质不太好。

如上所示，采用在现有技术的主动矩阵型液晶显示装置的构造的绝缘膜，在FFS方式中，没有适于用在形成与像素密度较大范围相对应的保持电容。因此，考虑形成在平坦化绝缘膜的上层依序形成下部电极层、绝缘膜层、上部电极层的构造，且使用该绝缘膜而形成保持电容。若将该构造称为覆盖层(over layer)构造时，必须谋求覆盖层构造中的保持电容最适化，且必须谋求提升FFS方式的显示质量。

本发明的目的在提供一种使用覆盖层构造来形成保持电容，且可通过保持电容的最适化来达成显示质量的提升的FFS方式的主动矩阵型液晶显示装置。

本发明中，关于FFS方式的主动矩阵型液晶显示装置，基于考虑可使用覆盖层构造来形成保持电容时的用于像素电位保持的条件、以及抑制信号线的电位变化的影响的条件，来求取用于供最适显示质量的条件。用以实现其结果的装置如下所示。