[发明专利]主动矩阵型液晶显示装置

权利要求书

1.一种主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，具有：

像素晶体管；

配线层，连接于前述像素晶体管；

第一绝缘层，设于前述像素晶体管及前述配线层的上层；

下部电极层，设于前述第一绝缘层的上层，且被分配给共用电极层或像素电极层的任一者；

第二绝缘层，设于前述下部电极层的上层；以及

上部电极层，设于前述第二绝缘层的上层，且被分配给前述共用电极层或前述像素电极层的任一者；

其中，令显示像素为由多个次像素形成的近似正方形形状，令前述显示像素在纵方向及横方向的配置间距分别为每25.381mm有P个，令前述像素晶体管的通道宽度为W，令前述像素晶体管的每单位通道宽度的导通电阻为ρON，令前述像素晶体管的栅极线与漏极线同时导通的时间为τON，令前述第二绝缘层的相对介电系数为ε，令真空介电系数为ε0，令修正参数为k，则前述第二绝缘层的膜厚t为：

t＜{(ε0ε/W)×[(0.025381/P)²/6]}/(100×10^-9)

及t＞{(ε0ε/W)×[(0.025381/P)²/6]×k×ρON}/τON

并且将电压施加于前述上部电极层与下部电极层之间而驱动液晶分子。

2.根据权利要求1所述的主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，前述第一绝缘层采用绝缘性透明树脂构成，前述第二绝缘层采用通过低温处理所形成的氮化硅构成。

3.根据权利要求1所述的主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，前述上部电极层具有封闭形状的狭缝。

4.根据权利要求1所述的主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，前述上部电极层具有梳状形状的开口部。

5.根据权利要求1所述的主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，通过前述下部电极层、设于前述下部电极层的上层的第二绝缘层、与设于前述第二绝缘层的上层的上部电极层来形成电容。

6.根据权利要求1所述的主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，前述上部电极层为共用电极层。

7.根据权利要求1所述的主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，前述上部电极层为像素电极层。

8.一种主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，具有：

像素晶体管；

配线层，连接于前述像素晶体管；

第一绝缘层，设于前述像素晶体管及前述配线层的上层；

下部电极层，设于前述第一绝缘层的上层，且被分配给共用电极层或像素电极层的任一者；

第二绝缘层，设于前述下部电极层的上层；以及

上部电极层，设于前述第二绝缘层的上层，且被分配给前述共用电极层或前述像素电极层的任一者；

其中，令显示像素为由多个次像素形成的近似正方形形状，令前述显示像素在纵方向及横方向的配置间距分别为每25.381mm有P个，则当P为100以上400以下时，在同时满足：针对前述像素晶体管的像素保持电容超过200fF的第一条件、以及相对于前述像素晶体管的漏极线的信号线电容超过前述像素保持电容的10倍的第二条件的条件下，前述第二绝缘层的膜厚t的范围为90nm以上2400nm以下；

并且将电压施加于前述上部电极层与下部电极层之间而驱动液晶分子。

9.根据权利要求8所述的主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，前述第一绝缘层采用绝缘性透明树脂构成，前述第二绝缘层采用低温处理所形成的氮化硅构成。

10.根据权利要求8所述的主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，前述上部电极层具有封闭形状的狭缝。

11.根据权利要求8所述的主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，前述上部电极层具有梳状形状的开口部。

12.根据权利要求8所述的主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，前述像素保持电容是由前述下部电极层、设于前述下部电极层的上层的第二绝缘层、与设于前述第二绝缘层的上层的上部电极层所形成。

13.根据权利要求8所述的主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，前述上部电极层为共用电极层。

14.根据权利要求8所述的主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，前述上部电极层为像素电极层。