[发明专利]光学半导体组件的光学次组件及其组装方法有效

专利信息
申请号: 200710166914.5 申请日: 2007-10-26
公开(公告)号: CN101419315A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: 尤文平 申请(专利权)人: 瑞轩科技股份有限公司
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42;H04B10/12
代理公司: 上海虹桥正瀚律师事务所 代理人: 李佳铭
地址: 台湾省台北县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 光学 半导体 组件 及其 组装 方法
【权利要求书】:

1.一种光学次组件,其特征在于,包含:

一第一基底;

一光纤组件,所述光纤组件固定在所述基底上,所述光纤组件包含一光 纤,所述光纤具有一第一光轴;

至少一第一光学半导体组件,所述至少一第一光学半导体组件固定至所 述第一基底上,且皆具有一对应的第一光路径,致使所述至少一第一光路径 光学耦合至所述第一光轴;

一第二基底;

至少一第二光学半导体组件,所述至少一第二光学半导体组件固定在所 述第二基底上,且皆具有一对应的第二光路径,一第二光轴基于所述第二基 底而定义,致使所述至少一第二光路径光学耦合至所述第二光轴,所述第二 光轴光学更耦合至所述第一光轴,且所述第二基底粘合至所述第一基底;以 及

至少一导磁组件,所述至少一导磁组件固定至所述第一基底上,所述至 少一导磁组件在所述至少一第二光学半导体组件对所述光纤校准期间,能被 一辅助校准机器的至少一电磁组件吸引。

2.如权利要求1所述的光学次组件,其特征在于:所述至少一电磁组件 通电后产生磁力以吸附所述至少一导磁组件,所述辅助校准机器的操作精度 介于40nm至60nm之间。

3.如权利要求1所述的光学次组件,其特征在于:所述至少一第二光学 半导体组件包含至少一光发射器,所述至少一光发射器用以被驱动产生至少 一顺向光信号。

4.如权利要求3所述的光学次组件,其特征在于:进一步包含一第一镜 头组件,所述第一镜头组件固定至所述第一基底上并且位于所述第一光轴 上,所述第一镜头组件用以聚焦所述至少一顺向光信号进入所述光纤的一端 面。

5.如权利要求4所述的光学次组件,其特征在于:所述至少一第一光学 半导体组件包含:

至少一光检测器,所述至少一光检测器皆对应至所述至少一第一光路径 中的一第一光路径,并且固定至所述第一基底上并且位于所述对应的第一光 路径上;以及

至少一波长选择型滤波器,所述至少一波长选择型滤波器皆对应至所述 至少一光检测器中的一光检测器,所述至少一波长选择型滤波器皆固定至所 述第一基底上并且位于所述第一光轴上,所述至少一波长选择型滤波器皆光 学耦合至所述光纤以及对应的所述至少一光检测器,并且所述至少一波长选 择型滤波器皆用以反射通过所述光纤传送的至少一反向光信号中的一反向 光信号至对应的所述至少一光检测器。

6.如权利要求5所述的光学次组件,其特征在于:进一步包含至少一第 二镜头组件,所述至少一第二镜头组件皆对应至所述至少一第一光路径中的 一第一光路径,所述至少一第二镜头组件皆固定至所述第一基底上并且位于 所述对应的第一光路径上,并且所述至少一第二镜头组件皆用以聚焦所述至 少一反向光信号中的一反向光信号至对应的所述至少一光检测器。

7.一种组装一光学次组件的方法,其特征在于:所述光学次组件包含一 第一基底,一包含一光纤的光纤组件,至少一第一光学半导体组件以及一第 二基底、至少一第二光学半导体组件,所述光纤具有一第一光轴,每一第一 光学半导体组件皆具有一对应的第一光路径,每一第二光学半导体组件皆具 有一对应的第二光路径,一第二光轴基于所述第二基底而定义,所述方法包 含下列步骤:

(a)将所述光纤组件固定至所述第一基底上;

(b)将所述至少一第一光学半导体组件固定至所述第一基底上,致使所 述至少一第一光路径光学耦合至所述第一光轴;

(c)将所述至少一第二光学半导体组件固定至所述第二基底上,致使所 述至少一第二光路径光学耦合至所述第二光轴;

(d)经由一辅助校准机器执行,将所述至少一第二光学半导体组件大体 上对所述光纤校准,致使所述第二光轴光学耦合至所述第一光轴,其中,所 述光学次组件进一步包含至少一导磁组件,所述至少一导磁组件固定至所述 第一基底上,所述至少一导磁组件在所述至少一第二光学半导体组件对所述 光纤校准期间能被所述辅助校准机器的至少一电磁组件吸引;以及

(e)在所述第二光轴光学耦合至所述第一光轴之后,将所述第二基底粘合 至所述第一基底。

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