[发明专利]集成电感无效
申请号: | 200710166779.4 | 申请日: | 2007-11-19 |
公开(公告)号: | CN101335289A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 杨明宗;詹归娣;柯庆忠 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L21/82;H01F17/00;H01F41/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 电感 | ||
1.一种集成电感,所述的集成电感包含:
线圈,其中所述的线圈包含:
第一金属层,镶嵌至第一绝缘层;以及
第二金属层镶嵌至位于所述的第一绝缘层上的第二绝缘层;以及
第一线形过孔结构镶嵌至位于所述的第一绝缘层与所述的第二绝缘层之间的第三绝缘层上的通孔槽,用以将所述的第一绝缘层与所述的第二绝缘层相互连接。
2.根据权利要求1所述的集成电感,其特征在于,所述的第一金属层包含铜。
3.根据权利要求1所述的集成电感,其特征在于,所述的第二金属层包含铜。
4.根据权利要求1所述的集成电感,其特征在于,所述的第二金属层以及所述的第一线形通孔结构是一个整体。
5.根据权利要求1所述的集成电感,其特征在于,所述的第二金属层以及所述的第一线形通孔结构是通过铜双镶嵌结构方法形成。
6.根据权利要求1所述的集成电感,其特征在于,所述的第一绝缘层包含氧化硅,氮化硅,碳化硅,氮氧化硅,低介电系数材料或是超低介电系数材料。
7.根据权利要求1所述的集成电感,其特征在于,所述的第二绝缘层包含氧化硅,氮化硅,碳化硅,氮氧化硅,低介电系数材料或是超低介电系数材料。
8.根据权利要求1所述的集成电感,其特征在于,所述的第一金属层,所述的第二金属层以及所述的第一线形通孔结构具有大致相同的图案。
9.根据权利要求8所述的集成电感,其特征在于,所述的相同的图案包含八边形和螺旋形。
10.根据权利要求1所述的集成电感,其特征在于,所述的线圈更包含铝金属层,通过第二线形通孔结构连接所述的第二金属层。
11.根据权利要求10所述的集成电感,其特征在于,所述的第二线形通孔结构镶嵌至第四绝缘层,所述的第四绝缘层位于所述的第二绝缘层之上,并与在所述的第四绝缘层上图案化的所述的铝金属层成为一个整体。
12.根据权利要求11所述的集成电感,其特征在于,所述的第四绝缘层包含氧化硅,氮化硅,碳化硅,氮氧化硅以及聚合物。
13.根据权利要求1所述的集成电感,其特征在于,所述的第二金属层包含铝。
14.根据权利要求13所述的集成电感,其特征在于,所述的第一线形通孔结构与于所述的第一绝缘层上图案化的所述的铝金属层成为一个整体。
15.根据权利要求1所述的集成电感,其特征在于,所述的第一线形通孔结构或者所述的第二线形通孔结构具有片段线形通孔结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的