[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具有形成在半导体衬底的第一活性区域上的第一金属绝缘体半导体晶体管，其特征在于：

上述第一金属绝缘体半导体晶体管包括：

第一栅极绝缘膜，形成在上述第一活性区域上，

第一栅电极，形成在上述第一栅极绝缘膜上，

第一侧壁绝缘膜，形成在上述第一栅电极的侧面，

第一源漏极区域，形成在上述第一活性区域中的上述第一侧壁绝缘膜的外侧，

硅化物区域，形成在上述第一源漏极区域的上层，

第一底层绝缘膜，是利用原子层沉积法在上述第一活性区域上以覆盖上述第一栅电极、上述第一侧壁绝缘膜及上述硅化物区域的方式形成的，以及

第一接触包覆膜，是利用等离子体化学气相沉积法在上述第一底层绝缘膜上形成的，且由在栅极长度方向上对沟道区域施加拉伸应力或者压缩应力的应力绝缘膜构成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一底层绝缘膜由氮化硅膜构成，

上述第一接触包覆膜由氮化硅膜构成。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

在构成上述第一底层绝缘膜的氮化硅膜中，氮与硅的比值在1.2以上。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

构成上述第一底层绝缘膜的氮化硅膜的膜厚在0.3nm以上且10nm以下。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

构成上述第一接触包覆膜的氮化硅膜的膜厚在15nm以上且50nm以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一金属绝缘体半导体晶体管是N型金属绝缘体半导体晶体管，

上述第一接触包覆膜由在栅极长度方向上对沟道区域施加拉伸应力的应力绝缘膜构成。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一金属绝缘体半导体晶体管是P型金属绝缘体半导体晶体管，

上述第一接触包覆膜由在栅极长度方向上对沟道区域施加压缩应力的应力绝缘膜构成。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

该半导体装置还包括第二金属绝缘体半导体晶体管，该第二金属绝缘体半导体晶体管形成在上述半导体衬底的与上述第一活性区域不同的第二活性区域上；

上述第二金属绝缘体半导体晶体管包括：

第二栅极绝缘膜，形成在上述第二活性区域上，

第二栅电极，形成在上述第二栅极绝缘膜上，

第二侧壁绝缘膜，形成在上述第二栅电极的侧面，

第二源漏极区域，形成在上述第二活性区域中的上述第二侧壁绝缘膜的外侧，

第二底层绝缘膜，是利用原子层沉积法在上述第二活性区域上以覆盖上述第二栅电极及上述第二侧壁绝缘膜的方式形成的，以及

第二接触包覆膜，是利用等离子体化学气相沉积法在上述第二底层绝缘膜上形成的，且由在栅极长度方向上对沟道区域施加拉伸应力或者压缩应力的应力绝缘膜构成；

上述第一活性区域中的上述硅化物区域上的上述第一接触包覆膜的膜厚、与上述第二活性区域上的上述第二接触包覆膜的膜厚相等。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：

该半导体装置还包括：

层间绝缘膜，形成在上述第一接触包覆膜及上述第二接触包覆膜上，

第一接触柱塞，是以贯通上述层间绝缘膜及上述第一接触包覆膜、且到达上述硅化物区域的方式形成的，以及

第二接触柱塞，是以贯通上述层间绝缘膜及上述第二接触包覆膜、且到达上述第二源漏极区域的方式形成的。