[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710165195.5 | 申请日： | 2007-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101192514A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 朴正秀 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768;H01L21/82;H01L21/8242;H01L27/02;H01L27/108;H01L29/92;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
在具有预先确定的下结构的衬底上形成下金属电极；
在所述下金属电极上形成含有第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜的多层介电薄膜；
在所述多层介电薄膜上形成上金属电极薄膜；以及
蚀刻所述上金属电极薄膜和所述多层介电薄膜来形成金属/绝缘体/金属结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述上金属电极薄膜包含TiN。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述下金属电极薄膜包含TiN。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘薄膜包含SiO2。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘薄膜包含SiN。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘薄膜包含具有高介电常数的TiO2薄膜、HfO2薄膜、ZrO2薄膜、SrTiO3薄膜以及(Bi，(e)4Ti3O12)薄膜中的任何一种。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述上金属电极薄膜具有约550到650的厚度，所述第一绝缘薄膜具有约70到100的厚度，所述第二绝缘薄膜具有约250到370的厚度，所述上金属电极具有约800到1200的厚度。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻步骤使用包括CH2气体、F2气体以及CH2气体与F2气体混合物中的任何一种的蚀刻气体。
9.一种半导体器件，包含：
含有金属线的下结构层；以及
在所述下结构层上形成的金属/绝缘体/金属叠层；其中
所述金属/绝缘体/金属叠层包含在含有所述下结构层的衬底上形成的下金属电极薄膜、包含在所述下金属电极薄膜上形成的第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜的多层介电薄膜，以及在所述多层介电薄膜上形成的上金属电极薄膜。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，在所述下金属电极薄膜中包含TiN，所述多层介电薄膜包含SiO2/SiN，以及所述上金属电极薄膜包含TiN。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
