[发明专利]制造具有凹槽栅极的半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底中形成第一凹槽；

在包括第一凹槽的所述衬底上形成等离子体氧化层；

蚀刻所述等离子体氧化层以使得所述等离子体氧化层的一部分保留在所述第一凹槽的侧壁上；和

通过各向同性蚀刻所述第一凹槽的底部形成第二凹槽，其中所述第二凹槽的宽度大于所述第一凹槽的宽度。

2.权利要求1的方法，其中在等离子体室中进行所述等离子体氧化层的形成。

3.权利要求2的方法，其中所述等离子体室包括等离子体蚀刻室和光刻胶去除室。

4.权利要求3的方法，其中所述等离子体氧化层的形成包括：施加约100毫托～约100托的压力；和

对所述等离子体蚀刻室施加约300W～约900W的源功率。

5.权利要求4的方法，其中使用氟化碳(CF₄)气体进行所述等离子体氧化层的形成。

6.权利要求4的方法，其中使用氟化碳(CF₄)和氧(O₂)气体的气体混合物进行所述等离子体氧化层的形成，CF₄气体与O₂气体的流量比为1∶2。

7.权利要求3的方法，其中所述等离子体氧化层的形成包括在所述光刻胶去除室中使用氧(O₂)气体和氮(N₂)气体的气体混合物。

8.权利要求1的方法，其中所述等离子体氧化层具有约20～约30的厚度。

9.权利要求1的方法，其中原位进行所述等离子体氧化层的形成和所述第二凹槽的形成。

10.权利要求1的方法，其中所述第二凹槽的宽度为所述第一凹槽宽度的约一倍到一倍半。

11.权利要求1的方法，其中在约10毫托～约60毫托的压力下、在约300W～约1000W的顶部功率下，进行所述各向同性蚀刻。

12.权利要求11的方法，其中不施加底部功率进行所述各向同性蚀刻。

13.权利要求11的方法，其中通过施加约1W～约100W的底部功率进行所述各向同性蚀刻。

14.权利要求10的方法，其中所述各向同性蚀刻包括使用溴化氢(HBr)气体、氯(Cl₂)气体、O₂气体、六氟化硫(SF₆)气体、CF₄气体及其组合的一种。

15.权利要求1的方法，其中所述等离子体氧化层的蚀刻是各向异性蚀刻。

16.权利要求1的方法，其中所述方法进一步包括在形成所述等离子体氧化层以前进行第一清洗步骤。

17.权利要求16的方法，在进行所述第一清洗步骤之后一小时之内形成所述等离子体氧化层。

18.权利要求16的方法，其中所述方法进一步包括在形成所述第二凹槽之后进行第二清洗步骤。

19.权利要求18的方法，其中不影响所述等离子体氧化层地进行所述第二清洗步骤。

20.权利要求19的方法，其中所述方法进一步包括在进行所述第二清洗步骤之后进行浅蚀刻处理。

21.权利要求20的方法，其中所述方法进一步包括进行第三清洗步骤以除去所述等离子体氧化层。