[发明专利]用于一半导体集成电路的导电结构及其成形方法无效
| 申请号： | 200710162042.5 | 申请日： | 2007-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101409269A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 齐中邦 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 亮 |
| 地址： | 台湾省新竹县新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 一半 导体 集成电路 导电 结构 及其 成形 方法 | ||
1.一种用于一半导体集成电路的导电结构，其中该半导体集成电路包含一衬垫及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出具有一第一横向尺寸的一开口区域，该导电结构可通过该开口区域，与该衬垫呈电性连接；该导电结构包含：
一第一导体层，具有一第二横向尺寸，至少局部形成于该开口区域内；以及
一第二导体层，具有一第三横向尺寸，形成于该第一导体层上，与该第一导体层呈电性连接；
其中该第二横向尺寸基本上不小于该第一横向尺寸，该第三横向尺寸基本上小于该第二横向尺寸。
2.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，更包含一底层，形成于该第一导体层与该衬垫之间，且具有一第四横向尺寸，其中该第四横向尺寸基本上不小于该第一横向尺寸。
3.如权利要求2所述的导电结构，其特征在于，该底层包含一第一金属层及一第二金属层。
4.如权利要求2所述的导电结构，其特征在于，该底层的材料选自钛、钨、及钛钨合金的材料族群中。
5.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，该第一导体层具有基本上介于1微米至5微米的一平均厚度。
6.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，该第二导体层具有基本上介于10微米至20微米的一平均厚度。
7.如权利要求2所述的导电结构，其特征在于，该第一导体层的材料选自金、镍及其组合的材料族群中。
8.如权利要求7所述的导电结构，其特征在于，该第二导体层的材料为金。
9.如权利要求2所述的导电结构，其特征在于，该第一导体层的材料为铜，该第二导体层的材料为锡。
10.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，该第一导体层的材料选自镍、铜及其组合的材料族群中，该第二导体层的材料为金。
11.一种用于一半导体集成电路的导电结构的成形方法，其中该半导体集成电路包含一衬垫，及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出一开口区域，该开口区域具有一第一横向尺寸，该方法包含下列步骤：
(a)通过该开口区域，形成一第一导体层于该衬垫上，其中该第一导体层，具有一第二横向尺寸，基本上不小于该第一横向尺寸；以及
(b)形成一第二导体层于该第一导体层上，其中该第二导体层具有一第三横向尺寸，基本上小于该第二横向尺寸。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，该步骤(a)实施前，更包含以下步骤：
形成一底层，通过该开口区域与该衬垫呈电性连结，以使该步骤(a)形成的该第一导体层可通过该底层与该衬垫呈电性连结。
13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，该步骤(a)与该步骤(b)均利用一化学镀层工艺工艺完成。
14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，该步骤(a)与该步骤(b)利用一电镀工艺完成。
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