[发明专利]用于降低的掩模偏置的分开的虚拟填充形状的方法和系统

权利要求书

1.一种方法，包括：

在已完成的半导体设计中对不含所设计的形状的区域定位；

在所述区域中以预定的最终密度生成虚拟填充形状；

调整所生成的虚拟填充形状的尺寸，使得其局部密度被增大到预定值；以及

对所述虚拟填充形状建立相应的修整形状，该修整形状用于对所述虚拟填充形状的超尺寸部分进行曝光，从而有效地修整每一个虚拟填充形状以使其回到所述预定的最终密度。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述所设计的形状处于所关心的级上。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述区域可用于所述虚拟填充形状。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述虚拟填充形状与功能形状之间具有间隔，以允许发生扩展而不会侵占所设计的形状。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述调整所生成的虚拟填充形状的尺寸绘制在阻挡掩模上。

6.如权利要求1所述的方法，其中对所述虚拟填充形状的每一个超尺寸虚拟填充形状执行所述建立步骤。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述预定的最终密度是大约25％，而虚拟0度和/或180度虚拟修整形状的局部密度是大约55％。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述修整形状绘制在相位掩模上。

9.如权利要求1所述的方法，其中，包括以下之一：

所述修整形状的边缘与所述修整形状要对其起作用的所述虚拟填充形状的边缘一致；以及

所述修整形状与所述虚拟填充形状的边缘重叠。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述重叠增加用于在两个掩模之间的未对准的可接受工艺窗口，并且增加0度和/或180度修整形状的局部密度，而与在所述两个掩模的阻挡掩模上的虚拟形状的局部密度无关。

11.一种使用交替相移掩模用于减少的掩模偏置的分开的虚拟填充形状的方法，包括绘制作为被划分到两个掩模的虚拟填充形状的掩模图案，其中在第一掩模上与虚拟填充相关的形状被扩展直到其局部密度处在所希望的范围，并且使用在第二掩模上的相关的修整形状来修整所扩展的虚拟填充形状到所希望的尺寸。

12.如权利要求11所述的方法，其中(i)第一掩模是阻挡掩模而第二掩模是相位掩模，或者(ii)第一掩模是主掩模而第二掩模是修整掩模。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述所希望的范围是大约70％-90％。

14.如权利要求11所述的方法，还包括：

在已完成的半导体设计中对不含所设计的形状的区域定位；

在所述区域中以预定的最终密度生成虚拟填充形状；

调整阻挡掩模上所生成的虚拟填充形状的尺寸，使得其局部密度被增大到所希望的值；以及

对每一个超尺寸虚拟填充形状，在所述相位掩模上建立相应的修整形状，该修整形状用于对所述虚拟填充形状的超尺寸部分进行曝光，从而有效地修整每一个虚拟形状以使其回到所述预定的最终密度。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述虚拟填充形状与功能形状之间具有间隔，以允许发生扩展而不会侵占所设计的形状。

16.如权利要求14所述的方法，其中所述虚拟填充形状与功能形状之间具有间隔，以允许发生扩展而不会侵占所设计的功能形状。

17.如权利要求14所述的方法，其中所述预定的最终密度是大约25％，而虚拟0度和/或180度虚拟修整形状的局部密度是大约55％。

18.如权利要求14所述的方法，其中，包括以下之一：

所述虚拟修整形状的边缘与所述虚拟修整形状要对其起作用的所述虚拟阻挡形状的边缘一致；以及

所述修整形状与所述虚拟阻挡形状的边缘重叠。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述重叠增加用于在两个掩模之间的未对准的可接受工艺窗口，并且增加0度和/或180度修整形状的局部密度，而与在阻挡掩模上的虚拟形状的局部密度无关。

20.一种系统，包括硬件和软件组件的至少一个，该系统被配置为：

在已完成的半导体设计中对不含所设计的形状的区域定位；

在所述区域中以预定的最终密度生成虚拟填充形状；

调整所生成的虚拟形状的尺寸，使得其局部密度被增大到预定值；

建立相应的修整形状，用于对所述虚拟形状的超尺寸部分进行曝光，从而有效地修整每一个虚拟形状以使其回到所述预定的最终密度。