[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710161880.0 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101257042A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 内藤慎哉;藤原英明;坛彻 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，具备：
第一导电型的集电层；
第二导电型的基层；
第一导电型的发射层；和
电荷移动防止体，其在上述集电层和上述基层之间的边界、上述基层中、上述基层和上述发射层之间的边界以及上述发射层中的至少任一个中形成，具有作为相对电子或空穴的任一方的势垒的效果。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述电荷移动防止体包括在上述基层和上述发射层之间的边界形成为层状的电荷移动防止膜。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述电荷移动防止体在上述基层中、上述基层和上述发射层之间的边界以及上述发射层中的至少一个中部分地形成。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
通过具有包含晶体的微小面积的小片的集合体被部分地形成来构成上述电荷移动防止体。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述电荷移动防止体由相对介电常数为30以上的材料构成。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述电荷移动防止体包括具有作为对上述空穴的势垒的效果的、带隙比Si大的半导体。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
上述电荷移动防止体包括TiO2膜。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
上述电荷移动防止体含有碳作为杂质。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
还具备：半导体基板，其形成有包括上述集电层、上述基层、上述发射层以及上述电荷移动防止体的双极晶体管；和
场效应晶体管，其包括在上述半导体基板上隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极，
上述栅极绝缘膜由与上述电荷移动防止体不同的材料形成。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
上述栅极绝缘膜由相对介电常数小于30的材料构成。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
还具备半导体基板和在上述半导体基板上形成的层间绝缘膜，
包括上述集电层、上述基层、上述发射层以及上述电荷移动防止体的双极晶体管被形成在上述层间绝缘膜上。
12.根据权利要求1～11所述的半导体装置，其特征在于，
上述第2导电型的基层由多晶膜或非晶膜中的任一种形成。
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