[发明专利]晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管，包含：

包含由器件隔离层所界定的有源区的半导体基板；

在所述半导体基板的有源区上隔开特定间隔的栅线；及

凹结构的沟槽，在与所述栅线的端部接触的所述半导体基板的有源区的端部中被蚀刻至特定深度。

2.如权利要求1所述的晶体管，其中所述凹结构的沟槽形成为矩形形状。

3.如权利要求1所述的晶体管，其中所述栅线具有呈T形剖面的端部。

4.如权利要求1所述的晶体管，还包括：

形成于所述栅线两侧上的接触区。

5.如权利要求1所述的晶体管，其中至少一条所述栅线包含在外围电路区中NMOS晶体管或PMOS晶体管内。

6.一种晶体管，包含：

包含由器件隔离层所界定的有源区的半导体基板；

在所述半导体基板的有源区上隔开特定间隔的栅线；及

凸形结构的突出物，在与所述栅线的端部接触的所述半导体基板的有源区的端部内，从所述半导体基板的表面突出特定高度。

7.如权利要求6所述的晶体管，其中所述凸形结构的突出物形成为矩形形状。

8.如权利要求6所述的晶体管，其中所述栅线具有反U形剖面的端部，所述剖面中的凹陷面对所述半导体基板。

9.如权利要求6所述的晶体管，还包括：

形成于所述栅线的两侧上的接触区。

10.如权利要求6所述的晶体管，其中至少一条所述栅线包含于外围电路区中的NMOS晶体管或PMOS晶体管内。

11.一种晶体管的制造方法，包含：

在包含单元区与外围电路区的半导体基板中形成器件隔离层；

在所述外围电路区中的有源区的端部中形成凹结构的沟槽；及

形成啮合该凹结构的沟槽的栅线。

12.如权利要求11所述的方法，其中形成凹结构的沟槽的步骤包括：

形成光敏抗蚀剂膜图案，以覆盖所述半导体基板的单元区，并露出所述外围电路区中毗邻所述器件隔离层的所述有源区；及

通过所述光敏抗蚀剂膜图案的掩模蚀刻所述外围电路区中的所述露出区域，以形成所述凹结构的沟槽。

13.如权利要求11所述的方法，其中形成凹结构的沟槽的步骤包括：

形成光敏抗蚀剂膜图案，以露出在所述半导体基板的单元区中用于形成凹陷沟道的区域，并露出所述外围电路区中毗邻所述器件隔离层的所述有源区；及

使用所述光敏抗蚀剂膜图案的掩模执行蚀刻工艺，以在所述单元区中形成凹陷沟道并在所述外围电路区中形成所述凹结构的沟槽。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述凹结构的沟槽形成为矩形形状。

15.如权利要求11所述的方法，其中所述栅线具有T形剖面的端部。

16.一种晶体管的制造方法，包含：

在包含单元区与外围电路区的半导体基板中形成器件隔离层；

在所述外围电路区中的有源区的端部中形成具有平坦顶面的凸形结构的突出物；及

形成啮合所述凸形结构的突出物的栅线。

17.如权利要求16所述的方法，其中形成凸形结构的突出物的步骤包含：

形成光敏抗蚀剂膜图案，以覆盖所述半导体基板的单元区，并覆盖所述外围电路区中毗邻所述器件隔离层的所述有源区；及

通过光敏抗蚀剂膜图案的掩模蚀刻所述外围电路区中的露出区域，以形成凸形结构的突出物。

18.如权利要求16所述的方法，其中形成凸形结构的突出物的步骤包含：

形成光敏抗蚀剂膜图案，以覆盖半导体基板的单元区中用于形成鳍形突出物的区域，并覆盖所述外围电路区中毗邻所述器件隔离层的所述有源区；及

使用所述光敏抗蚀剂膜图案的掩模执行蚀刻工艺，以在所述单元区中形成鳍形突出物并在所述外围电路区中形成凸形结构的突出物。

19.如权利要求16所述的方法，其中所述凸形结构的突出物形成为矩形形状。

20.如权利要求16所述的方法，其中所述栅线具有反U形剖面的端部。