[发明专利]薄膜晶体管、电光装置及电子设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其中包括：

源电极及漏电极，在平面上相对配置；

有机半导体层，其至少设置在所述源电极和所述漏电极之间；

多根栅极线，跨越所述源电极、所述有机半导体层及所述漏电极而延伸；和

栅极绝缘层，其介于各所述栅极线与所述源电极、所述漏电极、所述有机半导体层之间。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

所述源电极及所述漏电极沿着所述栅极线的延伸方向交替配置，

所述栅极线与多个所述源电极及所述漏电极交叉。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

所述源电极及所述漏电极形成为梳齿状。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

与各所述栅极线重叠的部分中的、所述源电极与所述漏电极的间隔，按每根所述栅极线而不同。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，

所述源电极或所述漏电极的至少一方的平面形状形成为锥状或阶梯状。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

所述栅极线的宽度按每根所述栅极线而不同。

7.一种电光装置，其具备权利要求1～6中任一项所述的薄膜晶体管。

8.一种电子设备，其具备权利要求7所述的电光装置。