[发明专利]薄膜晶体管、电光装置及电子设备

说明书

技术领域

本发明尤其涉及采用有机半导体层的薄膜晶体管、具备该薄膜晶体管的电光装置及电子设备。

背景技术

由于与现有的晶体管制造方法不同，可以通过混合于溶剂中进行印刷等简便工序来制造微细电路，故有机薄膜晶体管在大量生产、大面积化、低成本化等制造方面的优点比较大。进而，由于可以在柔性基板上制作，故可以期待用于电子纸等中(参照专利文献1)。

若在有机薄膜晶体管上反复施加电压，则由于微量的残留氧的影响，整体的电阻下降，导通、截止的状态恶化，最后有可能在栅极上不会引起调制。

也就是说，通过在有机薄膜晶体管上反复施加电压，而存在：晶体管特性变化，可靠性差，换言之寿命短的问题。

专利文献1：特开2005-223286号公报

发明内容

根据本发明达到的效果之一，可以提供一种可靠性优越的薄膜晶体管、具备该薄膜晶体管的电光装置以及电子设备。

本发明涉及的薄膜晶体管具有：源电极及漏电极，在平面上相对配置；有机半导体层，其至少设置在所述源电极及所述漏电极之间；多根栅极线，跨越所述源电极、所述有机半导体层及所述漏电极而延伸；和栅极绝缘层，其介于各所述栅极线与所述源电极、所述漏电极、所述有机半导体层之间。

在本发明中，由于设有多根栅极线，故若在栅极线上施加规定的电压，则可以在与栅极线重叠的有机半导体层中分别独立地感应沟道。因此，即使在持续使用1根栅极线而导致1个晶体管的导通、截止特性降低的情况下，通过切换到其他栅极线，从而接近于初始特性的正常的晶体管的驱动再次成为可能。再有，通过向多根栅极线依次施加驱动脉冲，从而可以使每根栅极线的单位驱动时间减少，可以抑制有机半导体层的特性劣化。

优选所述源电极及所述漏电极沿着所述栅极线的延伸方向交替配置；所述栅极线与多个所述源电极及所述漏电极交叉。由此，若在栅极线上施加规定电压，则沿着栅极线的延伸方向，可以感应多个短的沟道。通过将沟道长度分割得较短，从而可以使晶体管的驱动电流增大。

例如，所述源电极及所述漏电极形成为梳齿状。由此，可以将沟道长度分割得较短，可以使晶体管的驱动电流增大。

优选与各所述栅极线重叠的部分中的、所述源电极与所述漏电极的间隔，按每根所述栅极线而不同。在这种构成中，若向栅极线施加阈值以上的电压，则在与栅极线重叠的部分中的有机半导体层感应沟道，驱动电流在源电极与漏电极之间流动。驱动电流被沟道长度、即源电极与漏电极的间隔左右。具体是，随着源电极与漏电极的间隔减小，驱动电流增大。因此，在本发明中，通过选择栅极线，从而即使不使栅极电压变化，也可以调整驱动电流。

该情况下，例如使所述源电极或所述漏电极的至少一方的平面形状形成为锥状或阶梯状。由此，可以使源电极与漏电极的间隔按每根栅极线而不同。

优选所述栅极线的宽度按每根所述栅极线而不同。在这种构成中，若向栅极线施加阈值以上的电压，则在与栅极线重叠的部分中的有机半导体层感应沟道，驱动电流在源电极与漏电极之间流动。驱动电流被沟道宽度、即栅极线的宽度所左右。具体是，随着栅极线的宽度增大，驱动电流也增大。因此，在本发明中，通过选择栅极线，从而即使不使栅极电压变化，也可以调整驱动电流。

再有，本发明涉及的电光装置，其具备上述的薄膜晶体管。由此，可以防止薄膜晶体管的特性劣化引起的电光装置整体的不良，可以实现可靠性优良的电光装置。

进而，本发明涉及的电子设备具备上述电光装置。由此，可以防止薄膜晶体管的特性劣化所引起的电子设备整体的不良，可以实现可靠性优良的电子设备。

(发明效果)

根据本发明实现的效果之一，可以提供一种可靠性优良的薄膜晶体管、具备该薄膜晶体管的电光装置及电子设备。

附图说明

图1是第一实施方式涉及的薄膜晶体管的俯视图。

图2是第一实施方式涉及的薄膜晶体管的剖视图。

图3是第一实施方式涉及的薄膜晶体管的工序剖视图。

图4是用于说明薄膜晶体管的驱动方法的一例的图。

图5是第二实施方式涉及的薄膜晶体管的剖视图。

图6是第三实施方式涉及的薄膜晶体管的俯视图。

图7是第四实施方式涉及的薄膜晶体管的俯视图。

图8是第五实施方式涉及的薄膜晶体管的俯视图。

图9是第六实施方式涉及的薄膜晶体管的俯视图。

图10是第七实施方式涉及的薄膜晶体管的俯视图。

图11是第八实施方式涉及的薄膜晶体管的俯视图。