[发明专利]制造具有栅极堆叠结构的半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成中间结构，其中所述中间结构形成为包括至少第一金属层和含氮的金属硅化物层的堆叠结构；和

在所述中间结构上形成第二导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述中间结构包括在所述第一导电层上顺序堆叠所述第一金属层、第二金属层和所述含氮的金属硅化物层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述中间结构包括在所述第一导电层上顺序堆叠所述第一金属层、所述含氮的金属硅化物层和第二金属层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述中间结构包括顺序堆叠所述第一金属层、第二金属层、所述含氮的金属硅化物层和第三金属层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属层包括纯金属层和含氮的金属层中的一种。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述纯金属层包括钛层和钽层中的一种，所述含氮的金属层包括含氮的钛层和含氮的钽层中的一种。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述纯金属层形成约10～约50的厚度。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述含氮的金属层中的氮对金属的原子比范围为约0.2～约0.8。

9.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二金属层包括含氮的钨层和含氮的钛钨层中的一种。

10.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二金属层包括含氮的钨层和含氮的钛钨层中的一种。

11.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二金属层和所述第三金属层的每一层包括含氮的钨层和含氮的钛钨层中的一种。

12.根据权利要求1所述的方法，其中通过在氮气环境中以金属硅化物溅射靶实施反应性溅射沉积法形成所述含氮的金属硅化物层。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氮的金属硅化物层包括含氮的硅化钨层、含氮的硅化钛层和含氮的硅化钽层中的一种。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述含氮的金属硅化物层具有约10％～约60％的氮含量并且硅对金属的原子比为约0.5～约3.0。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电层包括选自多晶硅层、多晶硅锗层和硅化物层中的一种，并且所述第二导电层包括钨层。

16.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成中间结构，所述中间结构形成为包含第一金属层、第二金属层、金属硅化物层、和第三金属层的堆叠结构；和

在所述中间结构上形成第二导电层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中通过实施反应性溅射沉积法形成所述金属硅化物层。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述金属硅化物层包括选自硅化钨层、硅化钛层和硅化钽层中的一种。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一、第二和第三金属层的每一层包括含氮的金属层。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述第二金属层和所述第三金属层的每一层包括含氮的钨层和含氮的钛钨层中的一种。

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述含氮的钨层具有约10％～约60％的氮含量并且氮对钨的原子比为约0.3～约1.5。

22.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一金属层具有的氮对金属的原子比为约0.2～约0.8。

23.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一金属层包括含氮的钛层和含氮的钽层中的一种。

24.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一金属层包括钛层和钽层中的一种。

25.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一导电层包括选自多晶硅层、多晶硅锗层和硅化物层中的一种，并且所述第二导电层包括钨层。