[发明专利]钨酸铯钠闪烁材料及其制备与使用无效

专利信息
申请号: 200710160354.2 申请日: 2007-12-20
公开(公告)号: CN101260297A 公开(公告)日: 2008-09-10
发明(设计)人: 史宏声;秦来顺;田光磊;舒康颖 申请(专利权)人: 中国计量学院
主分类号: C09K11/55 分类号: C09K11/55
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 钨酸铯钠 闪烁 材料 及其 制备 使用
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种钨酸铯钠闪烁晶体材料及其制备与使用,其化学组成为Cs2-xNaxW2O7,其中0<x<2,称之为钨酸铯钠,本发明属于新材料领域。

背景技术

闪烁晶体能够探测X射线,γ射线,α粒子等高能射线或粒子,在安全检查(集装箱检查,行包检查等)、油井勘探(油井探测探头)和医疗诊断(X-CT,PET,SPECT等)等高能射线和核辐射探测领域得到了大量广泛的应用。

由于背景条件的不同,每一应用领域对闪烁晶体的性能指标的要求也相应有所差异。目前商品化的闪烁体都有应用上的局限性。1948年NaI:Tl(掺铊碘化钠)的发现带来碱卤化合物系列闪烁材料的发明,如CsI:Tl(掺铊碘化铯)和CsI:Na(掺钠碘化铯)等,这些碱卤化合物闪烁体有非常高的光输出,直到现在仍被大量使用。但这些闪烁体材料易潮解、发光衰减慢、抗辐照能力差,而且大多需要毒性很大的发光掺杂剂Tl(铊)。上世纪90年代发现的Lu2SiO5:Ce(掺铈硅酸镥)晶体也有相当高的光输出,发光衰减快,抗辐照能力强,但该晶体的原料贵,高熔点又使得生产成本高,因此价格昂贵,而且发光离子Ce在基质晶体中会占据两个不同的格位,容易分布不均从而降低能量分辨率,同时Lu的放射性同位素会产生背景辐射,也是一个缺点。1999年LaCl3:Ce(掺铈氯化镧)和LaBr3:Ce(掺铈溴化镧)闪烁晶体的发现是近些年闪烁材料领域最重要的突破,这两种晶体的光输出极高,发光衰减也很快,但潮解和氧化问题严重,材料制备以及用来制作探测器的成本都非常高。

发明内容

本发明的目的,在于提供一种钨酸铯钠闪烁晶体材料及其制备方法与应用,该材料的化学组成为Cs2-xNaxW2O7,其中0<x<2,称之为钨酸铯钠。该材料的多晶用固相合成的方法制备,该材料的单晶用坩埚下降法制备。

本发明采用的技术方案是:

一、一种钨酸铯钠闪烁晶体材料:

其化学组成为Cs2-xNaxW2O7,其中0<x<2。所述的Cs2-xNaxW2O7材料为单晶或多晶。

二、一种Cs2-xNaxW2O7多晶材料的制备方法,该方法的步骤如下:

纯度为99.9%的氧化钨(WO3)、碳酸铯(Cs2CO3)和碳酸钠(Na2CO3)为原料,按照摩尔比WO3∶Cs2CO3∶Na2CO3=4∶2-x∶x混合后置于铂金坩埚中,其中0<x<2,再将铂金坩埚放到马福炉中于700~1000℃进行反应8~14小时,得到Cs2-xNaxW2O7多晶料块。

三、一种Cs2-xNaxW2O7单晶材料的制备方法,该方法的步骤如下:

1把预先制备好的籽晶放入铂金坩埚的底部,再将Cs2-xNaxW2O7多晶料块装入铂金坩埚中,然后将铂金坩埚包装好,坩埚紧密密封;

2将上述铂金坩埚固定在晶体下降炉里的刚玉引下管上,其位置在晶体下降炉的上部区域即高温区,刚玉引下管与引下机构相连;

3将晶体下降炉的温度升到800~1000℃,保温10~14小时,使铂金坩埚中的Cs2-xNaxW2O7料块全部熔化同时部分籽晶也熔化;

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