[发明专利]钨酸铯钠闪烁材料及其制备与使用无效
| 申请号: | 200710160354.2 | 申请日: | 2007-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN101260297A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
| 发明(设计)人: | 史宏声;秦来顺;田光磊;舒康颖 | 申请(专利权)人: | 中国计量学院 |
| 主分类号: | C09K11/55 | 分类号: | C09K11/55 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 310018浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钨酸铯钠 闪烁 材料 及其 制备 使用 | ||
1、一种钨酸铯钠闪烁晶体材料,其特征在于:其化学组成为Cs2-xNaxW2O7,其中0<x<2。
2、根据权利要求1所述的一种钨酸铯钠闪烁晶体材料,其特征在于:所述的钨酸铯钠为单晶或多晶。
3、一种钨酸铯钠多晶的制备方法,其特征在于该方法的步骤如下:
纯度为99.9%的氧化钨(WO3)、碳酸铯(Cs2CO3)和碳酸钠(Na2CO3)为原料,按照摩尔比WO3∶Cs2CO3∶Na2CO3=4∶2-x∶x混合后置于铂金坩埚中,其中0<x<2,再将铂金坩埚放到马福炉中于700~1000℃进行反应8~14小时,得到Cs2-xNaxW2O7多晶料块。
4、一种钨酸铯钠单晶的制备方法,其特征在于:
(1)在制做好的铂金坩埚中装入籽晶,将钨酸铯钠Cs2-xNaxW2O7多晶料块装入铂金坩埚中,然后将铂金坩埚包装好,坩埚紧密密封;
(2)将上述铂金坩埚固定在下降炉里的刚玉引下管上,其位置在晶体炉的上部区域即高温区,刚玉引下管与引下机构相连;
(3)将晶体炉的温度升到800℃~1000℃,保温8~15小时,使铂金坩埚中的钨酸铯钠料块全部熔化同时部分籽晶也熔化;
(4)缓慢下降引下管,下降速度为1~2mm/h,此时固液界面位于炉子的温度梯度区内,温度梯度为30℃~40℃/cm。随着坩埚的不断下降,逐渐结晶出钨酸铯钠单晶;
(5)晶体生长完成后,以10℃~20℃/小时的速度将炉温逐渐降至室温。
5、一种钨酸铯钠闪烁晶体材料的应用,其特征在于:钨酸铯钠闪烁晶体材料在核辐射探测器中的应用。
6、根据权利要求5所述的一种钨酸铯钠闪烁晶体材料的应用,其特征在于:所述的核辐射探测器的应用为X射线或γ射线探测器中的应用。
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