[发明专利]用以成形非晶硅膜的连续腔室无效

专利信息
申请号: 200710160120.8 申请日: 2007-12-24
公开(公告)号: CN101471228A 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: 黄明鸿;叶公旭 申请(专利权)人: 东捷科技股份有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/205;H01L31/18;C23C16/54
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用以 成形 非晶硅膜 连续
【说明书】:

技术领域

发明是与非晶硅膜的成形装置有关,特别是指一种用以成形非晶硅膜的连续腔室。

背景技术

按,近来由于能源短缺以及油价高涨的问题,使得替代能源受到广泛注意,而替代能源技术之中,利用太阳能来产生电能的太阳能电池,即因为其具有高环保性的特质,而引起广泛的注意并吸引了庞大的研发资源。

目前主流的非晶硅薄膜太阳能电池,其制造过程中的非晶硅薄膜是为关键,目前普遍的制造方式,是由等离子体辅助化学气相沉积法(Plasma-EnhanceChemical Vapor Deposition,PECVD)来制造成形的。而非晶硅薄膜主要是由p-a-Si:H、i-a-Si:H、以及n-a-Si:H(即p-i-n)三层物质所沉积而成。

现今的p-i-n薄膜,在成形的技术上,主要是将待沉积物(例如玻璃板)水平设置于一腔体内,再于该腔体内依序成形出p层、i层、及n层薄膜,完成后再向外移出该待沉积物。而此种成形方式,由于三层都是在同一腔体内成形,因此在变换沉积层的过程中,必须将该腔体内的原气体抽出,再注入对应沉积层的气体,并控制好浓度后,才能开始下一次的气相沉积。此种方式造成制程上的等待,薄膜成形的时间拉长,不利于快速生产。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种用以成形非晶硅膜的连续腔室,其各型的非晶硅薄膜是分开进行,可由此提高生产速度。

本发明的次一目的在于提供一种用以成形非晶硅膜的连续腔室,其其可一次多片在连续的腔室内连续成形。

缘是,为了达成前述目的,依据本发明所提供的一种用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,包含有:

多数腔室,线性排列且相连接而使内部空间相连通,每相邻的二该腔室之间设有一活动门,而可由该活动门的开启/关闭来使相邻的二该腔室相通/隔离;

该多数腔室中,是定义位于头端的腔室为入料室,位于尾端的腔室为出料室,且位于该入料室与该出料室之间的腔室定义出至少一p层成形室、至少一i层成形室、以及至少一n层成形室;

该入料室的入口以及该出料室的出口均具有一活动门。

其中:该多数腔室中各具有一运输装置;以及还包含有一卡匣,该卡匣内设有多数待成膜料片,该多数待成膜料片呈直立状,该多数运输装置承载该卡匣并驱使该卡匣于该多数腔室内移动。

其中:各该p层成形室、i层成形室、以及n层成形室的顶壁设有一导气装置;该卡匣顶端设有一入气口,该卡匣位于各该p层成形室、i层成形室、以及n层成形室时,其所对应的腔室的导气装置是位于该卡匣上方,且与该入气口连接。

其中:各该导气装置具有一升降气嘴,而以该升降气嘴在下降时与该卡匣的入气口连接。

其中:该多数腔室的排列顺序为:入料室、p层成形室、i层成形室、n层成形室、以及出料室。

其中:该多数腔室的排列顺序为:入料室、p层成形室、二以上的i层成形室、n层成形室、以及出料室。

其中:该多数腔室的排列顺序为:入料室、p层成形室、i层成形室、n层成形室、p层成形室、i层成形室、n层成形室、以及出料室。

由此可达到连续成形且提高生产速度的功效。

附图说明

为了详细说明本发明的技术特点所在,以下列举三较佳实施例并配合附图说明如后,其中:

图1是本发明第一较佳实施例的架构示意图。

图2是本发明第一较佳实施例的局部构件示意图,显示导气装置与卡匣之间的状态。

图3是本发明第一较佳实施例的局部构件俯视示意图,显示一腔室内的运输装置以及活动门的状态。

图4是本发明第一较佳实施例的动作示意图,显示升降气嘴与卡匣的入气口连接的状态。

图5是本发明第二较佳实施例的架构示意图。

图6是本发明第三较佳实施例的架构示意图。

具体实施方式

如图1至图3所示,本发明第一较佳实施例所提供的一种用以成形非晶硅膜的连续腔室10,主要具有:

多数腔室11,是线性排列且相连接而使内部空间相连通,每相邻的二该腔室11之间设有二活动门13,而可由该多数活动门13的开启/关闭来使相邻的二该腔室11相通/隔离。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东捷科技股份有限公司,未经东捷科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710160120.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top