[发明专利]用以成形非晶硅膜的连续腔室无效
申请号: | 200710160120.8 | 申请日: | 2007-12-24 |
公开(公告)号: | CN101471228A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 黄明鸿;叶公旭 | 申请(专利权)人: | 东捷科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/205;H01L31/18;C23C16/54 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用以 成形 非晶硅膜 连续 | ||
1.一种用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,包含有:
多数腔室,线性排列且相连接而使内部空间相连通,每相邻的二该腔室之间设有一活动门,而可由该活动门的开启/关闭来使相邻的二该腔室相通/隔离;
该多数腔室中,是定义位于头端的腔室为入料室,位于尾端的腔室为出料室,且位于该入料室与该出料室之间的腔室定义出至少一p层成形室、至少一i层成形室、以及至少一n层成形室;
该入料室的入口以及该出料室的出口均具有一活动门。
2.依据权利要求1所述的用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,其中:该多数腔室中各具有一运输装置;以及还包含有一卡匣,该卡匣内设有多数待成膜料片,该多数待成膜料片呈直立状,该多数运输装置承载该卡匣并驱使该卡匣于该多数腔室内移动。
3.依据权利要求2所述的用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,其中:各该p层成形室、i层成形室、以及n层成形室的顶壁设有一导气装置;该卡匣顶端设有一入气口,该卡匣位于各该p层成形室、i层成形室、以及n层成形室时,其所对应的腔室的导气装置是位于该卡匣上方,且与该入气口连接。
4.依据权利要求3所述的用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,其中:各该导气装置具有一升降气嘴,而以该升降气嘴在下降时与该卡匣的入气口连接。
5.依据权利要求4所述的用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,其中:该多数腔室的排列顺序为:入料室、p层成形室、i层成形室、n层成形室、以及出料室。
6.依据权利要求4所述的用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,其中:该多数腔室的排列顺序为:入料室、p层成形室、二以上的i层成形室、n层成形室、以及出料室。
7.依据权利要求4所述的用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,其中:该多数腔室的排列顺序为:入料室、p层成形室、i层成形室、n层成形室、p层成形室、i层成形室、n层成形室、以及出料室。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东捷科技股份有限公司,未经东捷科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710160120.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造