[发明专利]用以成形非晶硅膜的连续腔室无效

专利信息
申请号: 200710160120.8 申请日: 2007-12-24
公开(公告)号: CN101471228A 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: 黄明鸿;叶公旭 申请(专利权)人: 东捷科技股份有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/205;H01L31/18;C23C16/54
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用以 成形 非晶硅膜 连续
【权利要求书】:

1.一种用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,包含有:

多数腔室,线性排列且相连接而使内部空间相连通,每相邻的二该腔室之间设有一活动门,而可由该活动门的开启/关闭来使相邻的二该腔室相通/隔离;

该多数腔室中,是定义位于头端的腔室为入料室,位于尾端的腔室为出料室,且位于该入料室与该出料室之间的腔室定义出至少一p层成形室、至少一i层成形室、以及至少一n层成形室;

该入料室的入口以及该出料室的出口均具有一活动门。

2.依据权利要求1所述的用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,其中:该多数腔室中各具有一运输装置;以及还包含有一卡匣,该卡匣内设有多数待成膜料片,该多数待成膜料片呈直立状,该多数运输装置承载该卡匣并驱使该卡匣于该多数腔室内移动。

3.依据权利要求2所述的用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,其中:各该p层成形室、i层成形室、以及n层成形室的顶壁设有一导气装置;该卡匣顶端设有一入气口,该卡匣位于各该p层成形室、i层成形室、以及n层成形室时,其所对应的腔室的导气装置是位于该卡匣上方,且与该入气口连接。

4.依据权利要求3所述的用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,其中:各该导气装置具有一升降气嘴,而以该升降气嘴在下降时与该卡匣的入气口连接。

5.依据权利要求4所述的用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,其中:该多数腔室的排列顺序为:入料室、p层成形室、i层成形室、n层成形室、以及出料室。

6.依据权利要求4所述的用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,其中:该多数腔室的排列顺序为:入料室、p层成形室、二以上的i层成形室、n层成形室、以及出料室。

7.依据权利要求4所述的用以成形非晶硅膜的连续腔室,其特征在于,其中:该多数腔室的排列顺序为:入料室、p层成形室、i层成形室、n层成形室、p层成形室、i层成形室、n层成形室、以及出料室。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东捷科技股份有限公司,未经东捷科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710160120.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top