[发明专利]一种沸石生长调控大孔载体制备微滤或超滤复合膜的方法无效
| 申请号: | 200710157885.6 | 申请日: | 2007-10-31 |
| 公开(公告)号: | CN101229488A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
| 发明(设计)人: | 张雄福;崔娇英;刘海鸥;王利;屈清洲 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
| 主分类号: | B01D71/02 | 分类号: | B01D71/02;B01D69/12 |
| 代理公司: | 大连理工大学专利中心 | 代理人: | 侯明远 |
| 地址: | 116024辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 生长 调控 载体 制备 超滤 复合 方法 | ||
1.一种沸石生长调控大孔载体制备微滤或超滤复合膜的方法,其特征是:沸石生长所需合成液的制备,按照(30~80)Na2O∶(1~5)Al2O3∶(2~5)SiO2∶(500~3000)H2O的摩尔配比将铝原料、硅原料、氢氧化钠和水,分别配制铝源清液、硅源清液,各自常温搅拌1~12h后,将铝源清液缓慢加入硅源清液混合后,常温搅拌1~18h配制成沸石生长所需的合成液;控制沸石生长,在经过处理的大孔载体上,根据所要孔径或应用需求,在沸石水热生长条件为温度60~100℃、生长1~20h下,通过控制沸石生长条件,使大孔载体表面经沸石生长调孔形成特定分离功能的复合膜,然后将膜用蒸馏水洗至中性。
2.根据权利要求1所述的一种沸石生长调控大孔载体制备微滤或超滤复合膜的方法,其特征在于:铝原料使用铝酸钠、硫酸铝、异丙醇铝、金属铝或三氯化铝。
3.根据权利要求1所述的一种沸石生长调控大孔载体制备微滤或超滤复合膜的方法,其特征在于:硅原料使用正硅酸乙脂、硅酸钠、硅溶胶、水玻璃或活性无定型硅石。
4.根据权利要求1所述的一种沸石生长调控大孔载体制备微滤或超滤复合膜的方法,其特征在于:载体为孔径为1~15μm,孔隙率20~60%的管式、多通道蜂窝状陶瓷载体。
5.根据权利要求1或4所述的一种沸石生长调控大孔载体制备微滤或超滤复合膜的方法,其特征在于:陶瓷载体材料为α-Al2O3、γ-Al2O3、SiO2、ZrO2、TiO2或多孔玻璃。
6.根据权利要求1所述的一种沸石生长调控大孔载体制备微滤或超滤复合膜的方法,其特征在于:大孔载体的处理方法为在蒸馏水中用超声波洗涤振荡,洗去表面及孔内悬浮颗粒后,两端涂上密封胶,高温固化密封胶及消解有机物污染物后,将陶瓷管的外表面用聚四氟乙烯薄膜包好。
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