[发明专利]基板载置台及其制造方法、基板处理装置、流体供给机构

说明书

技术领域

本发明涉及基板载置台、基板载置台的制造方法、基板处理装置、流体供给机构，尤其是涉及适合半导体基板等的等离子体处理的基板载置台、基板载置台的制造方法、基板处理装置、流体供给机构。

背景技术

迄今为止，在对半导体基板等实施等离子体蚀刻等的等离子体处理的基板处理装置等中，在载置基板的基板载置台中具备用于向基板背面一侧供给氦气等冷却气体的流体供给机构已为大家所熟知。另外，在上述基板载置台上，作为构成静电卡盘的绝缘层等而在基板载置面上设置Al2O3等陶瓷喷镀层也为大家所熟知(例如，参照专利文献1)。

【专利文献1】日本特开2004-47653号公报

发明内容

作为制造上述基板载置台的方法，例如，单独构成形成多个气体供给孔的第一板状部件、在表面形成有作为用于向这些气体供给孔供给气体的气体供给通路的槽的第二板状部件，通过钎焊等将它们焊接成一个整体，之后，通过在载置面上喷镀陶瓷形成陶瓷喷镀层的方法。

在上述方法中，在陶瓷喷镀时，喷镀陶瓷将会侵入气体供给孔内。因此，一边使空气等从气体供给孔中喷出，一边进行陶瓷喷镀，从而使喷镀陶瓷难以侵入气体供给孔内。但是，在上述这种空气等的喷出中，无法完全防止喷镀陶瓷侵入气体供给孔的内部。因此，必须进行清洁侵入气体供给孔的内部并且附着在其底部的喷镀陶瓷的冲洗工序。

但是，本发明人等经过详查后发现，牢固地附着在气体供给孔底部等处的喷镀陶瓷等有时用清洁也难以完全除去，有时存在喷镀陶瓷作为喷镀残渣而残留的问题。正在作为产品而使用的情况下，该喷镀残渣剥落从而污染半导体晶片或处理腔室内，并且导致发生气体供给孔的孔堵塞从而发生因冷却气体压力下降所引起的温度控制方面的问题。

本发明就是针对上述现有情况而产生的，其目的在于提供一种不仅能够防止在流体通路内残留喷镀残渣，而且，能够防止发生喷镀残渣导致的污染、防止发生流体通路的孔堵塞的基板载置台、基板载置台的制造方法、基板处理装置、流体供给机构。

本发明第一方面的基板载置台，其特征在于，具备板状部件，该板状部件具有：载置有基板的载置面；在所述载置面上开口并且向该载置面与所述基板之间供给气体的多个气体喷出孔；和用于向所述气体喷出孔供给气体的气体供给通路，并且所述基板载置台设置有覆盖所述载置面的陶瓷喷镀层，至少与所述气体喷出孔相对的部位的所述气体供给通路的内壁形成为曲面状。

本发明第二方面的基板载置台是本发明第一方面所述的基板载置台，其特征在于，所述气体供给通路被多个所述气体喷出孔共有。

本发明第三方面的基板载置台是本发明第二方面所述的基板载置台，其特征在于，所述板状部件通过焊接具有所述气体喷出孔的第一板状部件、和具有底部为曲面状的槽的第二板状部件而构成。

本发明第四方面基板载置台是本发明第三方面所述的基板载置台，其特征在于，在所述第二板状部件上设置有用于将气体供给所述气体供给通路内的气体供给孔、和用于供给或排出用于清洁所述气体供给通路内的流体的清洁用孔。

本发明第五方面的基板载置台是本发明第一～第四方面中任意一方面所述的基板载置台，其特征在于，所述板状部件由铝构成，在所述气体供给通路内形成有阳极氧化膜。

本发明第六方面的基板载置台的制造方法的特征在于，所述基板载置台具备板状部件，该板状部件具有：载置有基板的载置面；在所述载置面上开口并且向该载置面与所述基板之间供给气体的多个气体喷出孔；和用于向所述气体喷出孔供给气体的气体供给通路，并且所述基板载置台设置有覆盖所述载置面的陶瓷喷镀层，该方法包括：形成至少与所述气体喷出孔相对部位的所述气体供给通路的内壁为曲面状的所述板状部件的工序；一边从所述气体喷出孔喷出气体一边在所述板状部件的所述载置面上形成陶瓷喷镀层的工序；和对所述气体供给通路内部进行清洁的工序。

本发明第七方面的基板载置台的制造方法是本发明第六方面所述的基板载置台的制造方法，其特征在于，所述气体供给通路被多个所述气体喷出孔共有。

本发明第八方面的基板载置台的制造方法是本发明第七方面所述的基板载置台的制造方法，其特征在于，所述板状部件通过焊接具有所述气体喷出孔的第一板状部件、和具有底部为曲面状的槽的第二板状部件而形成。

本发明第九方面的基板载置台的制造方法是本发明第八方面所述的基板载置台的制造方法，其特征在于，使用设置于所述第二板状部件的气体供给孔和设置于所述第二板状部件的清洁用孔，向所述气体供给通路的内部供给和排出清洁用流体而进行清洁。